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公开(公告)号:CN214477424U
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202120386030.6
申请日:2021-02-22
申请人: 江苏爱矽半导体科技有限公司
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/467 , H01L23/367 , H01L25/07
摘要: 本实用新型公开了一种新型DFN封装半导体,包括框架和功能芯片,框架为矩形形状,框架的中心位置设有隔离带,隔离带将框架分为至少对称的四个基岛,每个基岛由内向外分别设有散热孔和引脚;散热孔形状与功能芯片相同且尺寸小于功能芯片,功能芯片设置在散热孔上方且通过焊线与各自基岛上的引脚焊接,相邻两个功能芯片也通过焊线连接,框架、功能芯片和焊线通过塑封体塑封起来。本实用新型框架上设有多个基岛,可以安装单芯片,也可以安装多个芯片,一种框架可以适用于不同种类的产品,解决了框架种类繁多的问题;N型MOS和P型MOS相互桥接,减少引脚数量,并提供优异的MOS电阻值,兼容性更佳,散热片最大程度地外露,具有优异的散热性能。