镧系元素离子源的产生方法

    公开(公告)号:CN106373845B

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201610350373.0

    申请日:2016-05-24

    摘要: 一种镧系元素离子源的产生方法,包括下列步骤:加热一种或多种非气态的镧系元素化合物,使得该一种或多种非气态的镧系元素化合物转变为气态;传送一种或多种气态镧系元素化合物传送至该电弧室;传送至少一种支持气体传送至该电弧室;提供能量予该电弧室,使含有镧系元素离子的电浆形成于该电弧室中;以及将镧系元素离子自含有镧系元素离子的该电浆中萃取出来形成镧系元素离子束。

    离子布植方法与离子布植机

    公开(公告)号:CN105374655A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510493080.3

    申请日:2015-08-12

    IPC分类号: H01J37/08 H01J37/317

    摘要: 本发明提出离子布植方法与离子布植机。布植气体与稀释气体被传输至离子源的流量的比例被控制在3:1到20:1之间。布植气体可以是磷化氢、三氟化硼、二氧化碳、四氟化锗、砷化氢、一氧化碳、四氟化碳、氮、四氟化硅或其组合,而稀释气体可以是氢、氦或其组合。当稀释气体同时有氦与氢时,氦与氢的体积比例被控制在1:99到3:17之间。藉由使用这样特定的程序,离子源的使用期限得以延长。

    离子布植方法与离子布植机

    公开(公告)号:CN105374655B

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201510493080.3

    申请日:2015-08-12

    IPC分类号: H01J37/08 H01J37/317

    摘要: 本发明提出离子布植方法与离子布植机。布植气体与稀释气体被传输至离子源的流量的比例被控制在3:1到20:1之间。布植气体可以是磷化氢、三氟化硼、二氧化碳、四氟化锗、砷化氢、一氧化碳、四氟化碳、氮、四氟化硅或其组合,而稀释气体可以是氢、氦或其组合。当稀释气体同时有氦与氢时,氦与氢的体积比例被控制在1:99到3:17之间。藉由使用这样特定的程序,离子源的使用期限得以延长。