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公开(公告)号：CN211205085U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201922420721.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 北京比亚迪模具有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种车辆口盖的检具，所述口盖包括座板，所述座板形成有转轴孔和座板孔,所述检具包括：底板；本体，所述本体设置于所述底板上，所述本体形成有中心孔；面差间隙检测件，所述面差间隙检测件设置在所述底板上且与所述本体的一侧间隔设置；座板孔检测件，所述座板孔检测件设置于所述底板上且位于所述中心孔内；转轴孔检测件，所述转轴孔检测件设置于所述本体上且与所述中心孔的一侧间隔设置。由此，本实用新型的检具在能够检测面差间隙和座板孔位置度的基础上，还可以通过转轴孔检测件进一步地检测转轴孔的位置度，从而可以进一步地完善检具对口盖的检测，可以提升口盖的品质，而且可以减少新检具的研发投入，可以降低成本。
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公开(公告)号：CN213472033U
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202022222819.6
申请日：2020-09-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 北京比亚迪模具有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种生产口盖座板的模具，模具包括：至少部分结构为软质的第一顶针，第一顶针适于止抵于设置在口盖座板的第一本体的第一顶出区域和/或第一本体的未被口盖座板的第二本体遮挡的第二顶出区域以使口盖座板从模具中顶出。由此，通过使用软质的第一顶针止抵口盖座板，可以避免口盖座板从模具中被顶出时在口盖座板外观面上形成顶针印，当口盖外板被打开后，用户看不到顶针印，从而可以提高口盖座板的美观性，进而可以提升用户对口盖座板的主观评价。
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公开(公告)号：CN119840513A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411090634.0
申请日：2024-08-08
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种车辆的控制方法、控制装置、电子装置、车辆及计算机可读存储介质，控制方法包括：在警告标志处于取出状态的情况下，获取车辆相对于所述车辆后方的所述警告标志的相对距离，及根据相对距离控制车辆自身向目标对象反馈针对于所述警告标志的提示信息。如此，本申请使得车辆可在警告标志处于取出状态的情况下，根据车辆相对于车辆后方的警告标志的相对距离，向目标对象如用户等，反馈针对于警告标志的提示信息，以使用户可通过车辆反馈的提示信息知悉警告标志的摆放情况，由此可避免警告标志的摆放需完全依赖于用户主观经验的情况出现，且可在一定程度上降低用户正确摆放警告标志的难度，使得用户的车辆驾乘体验得以提升。
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公开(公告)号：CN119778846A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411554582.8
申请日：2024-10-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种除湿控制方法、控制设备、除湿系统及存储介质。该方法应用于除湿系统，除湿系统包括除湿装置和风机，该方法包括：在当前环境的环境湿度和/或环境露点温度满足除湿条件的情况下，根据干球温度、环境露点温度和预设的开机露点温度，确定除湿装置的目标运行状态和风机的目标运行状态；其中，开机露点温度用于指示除湿装置开机；控制除湿装置和风机，分别以除湿装置的目标运行状态和风机的目标运行状态运行。该方法用以达到对多种不同场景环境下有效除湿的效果。
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公开(公告)号：CN118231881A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311291432.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01M10/633 , H01M10/613 , H01M10/663
Abstract: 本申请实施例公开了一种空调控制方法及相关装置，方法包括：根据传感器数据和预设阈值确定控制需求；根据所述控制需求的控制优先级，生成控制策略，其中，所述控制优先级用于表征所述控制需求的处理顺序；下发所述控制策略，并通过获取实时传感器数据更新所述控制策略，直至所述储能电池柜达到安全工作环境。如此可以实现，通过传感器数据实时监控储能电池柜的工作环境，并根据传感器数据生成逻辑完整的空调控制策略，依据控制策略控制空调运行，以使得空调更高效准确的响应储能电池柜的需求，从而保证储能电池柜始终处于安全的工作环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117374449A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210769001.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01M10/613 , H01M10/625 , H01M10/633 , H01M10/663 , H01M10/6568 , B60L58/26
Abstract: 本公开涉及一种电池散热控制方法、装置、系统及车辆。该方法包括：在确定电池处于工作状态的情况下，控制第一冷却回路导通，以利用第一冷却回路内流动的冷却介质对电池进行散热；若电池的温度大于预设的温度阈值，则控制第二冷却回路导通，以利用第二冷却回路内流动的冷却介质对电池进行散热，其中，第一冷却回路和第二冷却回路具有分流点和汇流点，在第二冷却回路上、在分流点到汇流点的支路上设置有用于对冷却介质进行冷却的冷却部件。通过上述技术方案，可以有效对电池散热过程进行节能降耗，提高散热效率。
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公开(公告)号：CN116799341A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210269538.7
申请日：2022-03-18
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01M10/48 , H01M10/6554 , H01M10/6567 , G01K13/00
Abstract: 本发明提供一种储能设备制冷管路系统气泡检测方法及制冷管路系统，储能设备制冷管路系统包括用于冷却储能设备的冷板，其中气泡检测方法包括：获取储能设备制冷管路系统的运行参数；根据运行参数确定储能设备制冷管路系统的运行状态；在运行状态为稳定流动状态的情况下，获取所述的出口温度与入口温度；在出口温度与所述入口温度符合第一预设条件下，确定制冷管路中存在气泡。本发明通过确定制冷管路系统处于稳定流动状态，然后检测冷板的出口温度和入口温度，根据出口温度和入口温度的变化，确定制冷管道中是否存在气泡，需要设置的检测点少，结构简单，检测方便；同时需要检测获取的数据量少，数据计算量小，能够降低检测的成本。
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公开(公告)号：CN107768250B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201610677403.9
申请日：2016-08-16
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/367
Abstract: 本公开涉及一种制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件，该方法包括：在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理；在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)；以及对所述正面钛镍银层(12)进行蚀刻处理。本公开提供的方法制备得到正面覆盖有正面钛镍银层的功率半导体器件，封装时功率半导体器件正面能够使用焊接工艺，能够提高功率半导体器件正面的散热能力，进而提高功率半导体器件的整体散热能力。
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公开(公告)号：CN109728081A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201711045344.4
申请日：2017-10-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Inventor： 王志伟
IPC: H01L29/739 , H01L23/544 , H01L21/331
Abstract: 为克服现有IGBT芯片的封装结构中温度检测存在滞后性，影响模块保护效果的问题，本发明提供了一种IGBT芯片，包括绝缘栅极双极晶体管区和二极管区；所述二极管区包括硅层、第一电极和第二电极，所述硅层上形成有二极管P型区和二极管N型区，所述第一电极与所述二极管P型区电耦合，所述第二电极与所述二极管N型区电耦合；所述绝缘栅极双极晶体管区具有衬底，所述衬底的部分区域覆盖有场氧区，所述硅层形成于所述场氧区上，以使所述二极管区和所述绝缘栅极双极晶体管区相互绝缘导热。同时，本发明还公开了上述IGBT芯片的制备方法。本发明提供的IGBT芯片集成了可用于温度感应的二极管区，能够提高温度感应的速度和准确性，保护IGBT芯片不被热损坏。
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公开(公告)号：CN107768250A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610677403.9
申请日：2016-08-16
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/367
Abstract: 本公开涉及一种制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件，该方法包括：在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理；在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)；以及对所述正面钛镍银层(12)进行蚀刻处理。本公开提供的方法制备得到正面覆盖有正面钛镍银层的功率半导体器件，封装时功率半导体器件正面能够使用焊接工艺，能够提高功率半导体器件正面的散热能力，进而提高功率半导体器件的整体散热能力。
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