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公开(公告)号：CN103172368A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110428008.4
申请日：2011-12-20
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种PTC热敏电阻，由主材料、辅助材料以及燃烧助剂组成，以1molTiO2为基准，其中，主材料包括1molTiO2、0.5molBaCO3、0.176molCaCO3和0.108molPb3O4；辅助材料包括0.005mol~0.006molNb2O5、0.004mol~0.005molY2O3和0.0001mol~0.0003molMn(NO3)2；燃烧助剂包括0.02mol~0.03molSiO2、0.01molTiO2和0.001mol~0.003molAl2O3。同时，本发明还提供了一种制备该PTC热敏电阻的方法。本发明提供的PTC热敏电阻，能够在保证较高居里点的同时承受较高的电压，可以满足现阶段对PTC热敏电阻高居里点高耐压能力的要求。
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公开(公告)号：CN103057194A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110325546.0
申请日：2011-10-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种增透膜，该增透膜依次包括第一二氧化硅层、第二线性二氧化硅层和第三二氧化硅层；所述第一二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径为50-150nm，所述第三二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径为10-70nm；所述第一二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径与第三二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径比为1-5∶1。本发明还提供了该增透薄膜的制备方法。本发明的增透膜在可见光范围内的单面增透达3%以上，耐摩擦和耐盐雾性能大幅度提高，且产品的稳定性和一致性优异。
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公开(公告)号：CN103031528B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110292178.4
申请日：2011-09-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种防指纹薄膜的制备方法及由该方法制备的防指纹薄膜，所述方法采用磁控溅射在基材表面形成防指纹薄膜，所述磁控溅射采用的靶材为含氟有机物，磁控溅射过程中充入反应气体，所述反应气体为CF4和N2的混合气体。由本方法制备的防指纹薄膜含有F、C、N三种元素，且氟碳比大于或等于2:1。高氟碳比使薄膜具有优异的防污效果，同时本发明的薄膜具有透光率高，附着力强，耐磨性好的特点，适用于大尺寸触摸屏。
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公开(公告)号：CN102808148A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110142207.9
申请日：2011-05-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。该方法包括在氩气气氛下，采用磁控溅射在玻璃基材表面形成防指纹薄膜，其中，磁控溅射采用的靶材含有二氧化硅和含氟有机物。通过该方法制备得到的防指纹薄膜不粘指纹，防污效果好，同时，该薄膜在基材表面的附着力强，且适用于大尺寸触摸屏。
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公开(公告)号：CN102950099B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110239818.5
申请日：2011-08-21
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 一种超疏水材料的制备方法，所述方法包括下述步骤：步骤1、采用蚀刻液在基体表面蚀刻出微米或亚微米结构；步骤2、在具有微米或亚微米结构的基体表面形成纳米涂层；步骤3、在所述纳米涂层上制备一层低表面能物质。本发明还提供了一种超疏水材料，通过如上所述的方法制备，包括基体，所述基体上形成具有微米或亚微米结构的基体表面，在所述基体表面上形成有纳米涂层，并且在所述纳米涂层上形成有低表面能物质层。本发明的制备方法适合于工业化生产、成本低，并且适合于对玻璃表面进行处理，所得到的超疏水材料的水接触角可达150°以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102849962B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110179240.9
申请日：2011-06-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C03C17/23
Abstract: 一种二氧化硅超疏水薄膜的制备方法，所述方法包括下述步骤：步骤1、制备酸性溶胶：将正硅酸酯、酸性催化剂、溶剂和水混合，配制成SiO2酸性溶胶；步骤2、制备纳米级薄膜：将所述SiO2酸性溶胶涂覆在基体上，烧结后得到在基体的表面形成纳米级SiO2薄膜；步骤3、制备碱性溶胶：将正硅酸酯、碱性催化剂、溶剂、水混合，然后加入低表面能修饰剂，配制成SiO2碱性溶胶；步骤4、 制备微米级薄膜：将所述SiO2碱性溶胶涂覆在上述纳米级SiO2薄膜上，烘干后在基体的表面得到二氧化硅超疏水薄膜；本发明还提供了一种超疏水材料。通过本发明的制备方法制得的二氧化硅超疏水薄膜与基体的附着力强，并且疏水效果好。
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公开(公告)号：CN103057194B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110325546.0
申请日：2011-10-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种增透膜，该增透膜依次包括第一二氧化硅层、第二线性二氧化硅层和第三二氧化硅层；所述第一二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径为50-150nm，所述第三二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径为10-70nm；所述第一二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径与第三二氧化硅层的二氧化硅颗粒的平均粒径比为1-5：1。本发明还提供了该增透薄膜的制备方法。本发明的增透膜在可见光范围内的单面增透达3%以上，耐摩擦和耐盐雾性能大幅度提高，且产品的稳定性和一致性优异。
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公开(公告)号：CN103031528A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110292178.4
申请日：2011-09-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种防指纹薄膜的制备方法及由该方法制备的防指纹薄膜，所述方法采用磁控溅射在基材表面形成防指纹薄膜，所述磁控溅射采用的靶材为含氟有机物，磁控溅射过程中充入反应气体，所述反应气体为CF4和N2的混合气体。由本方法制备的防指纹薄膜含有F、C、N三种元素，且氟碳比大于或等于2:1。高氟碳比使薄膜具有优异的防污效果，同时本发明的薄膜具有透光率高，附着力强，耐磨性好的特点，适用于大尺寸触摸屏。
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公开(公告)号：CN102260409B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201010190259.9
申请日：2010-05-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅发泡胶组合物，以硅发泡胶组合物的总质量为基准，所述硅发泡胶组合物中含有以下组分：聚二甲基硅氧烷45-80％；二甲基硅油10-45％；硅微粉5-30％；硅树脂0.5-2％；偶联剂1-10％；4，4′-氧代双苯磺酰肼0.5-3％；偶氮二甲酰胺0.5-3％；助泡剂0.5-3％。本发明还提供了所述硅发泡胶组合物的制备方法，以及由该硅发泡胶组合物制备得到的硅发泡胶和含有该硅发泡胶的超声波传感器。本发明的超声波传感器余震小，阻抗低，超声波传感器灵敏度高。
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公开(公告)号：CN102950099A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110239818.5
申请日：2011-08-21
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 一种超疏水材料的制备方法，所述方法包括下述步骤：步骤1、采用蚀刻液在基体表面蚀刻出微米或亚微米结构；步骤2、在具有微米或亚微米结构的基体表面形成纳米涂层；步骤3、在所述纳米涂层上制备一层低表面能物质。本发明还提供了一种超疏水材料，通过如上所述的方法制备，包括基体，所述基体上形成具有微米或亚微米结构的基体表面，在所述基体表面上形成有纳米涂层，并且在所述纳米涂层上形成有低表面能物质层。本发明的制备方法适合于工业化生产、成本低，并且适合于对玻璃表面进行处理，所得到的超疏水材料的水接触角可达150°以上。
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