一种片式氧传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102109488A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200910189440.5

    申请日:2009-12-25

    Inventor: 徐斌 王田军

    Abstract: 本发明提供了一种片式氧传感器及其制备方法。本发明的片式氧传感器的多孔保护层,包括过渡层、多孔层和致密层,各层上均具有孔洞使多孔保护层从下至上连通;所述过渡层含有氧化锆和镁铝尖晶石,过渡层的平均孔径为0.1-2.5μm,孔隙率为20-40%;所述多孔层含有氧化锆、镁铝尖晶石和贵金属,多孔层的平均孔径为0.1-3.5μm,孔隙率为30-50%;所述致密层为氧化锆,致密层的平均孔径为2-3μm,孔隙率为20-40%。本发明的片式氧传感器,与现有技术相比,灵敏度高、抗热震性好且使用寿命长。

    一种片式氧传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102235994A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201010160291.2

    申请日:2010-04-23

    Abstract: 本发明提供了一种片式氧传感器,所述片式氧传感包括加热体和加热体上部的测氧体;所述加热体,包括两个绝缘层和夹持于两绝缘层间的加热电极;所述测氧体,从下至上依次包括参比气基片、电解质层和多孔保护层;所述片式氧传感器还包括位于加热体和测氧体中间的过渡层,所述过渡层含有氧化锆、氧化硅和氧化铝。本发明还提供了所述片式氧传感器的制备方法。采用本发明提高的制备方法得到的片式氧传感器,各层结合紧密,密封性和抗热震性较高,使用寿命较长。

    一种片式氧传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102109486A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200910189453.2

    申请日:2009-12-26

    Inventor: 王田军 徐斌

    Abstract: 本发明提供了一种片式氧传感器及其制备方法。本发明的片式氧传感器的多孔保护层,包括过渡层、多孔层和吸附层,各层上均具有孔洞使多孔保护层从下至上连通;过渡层中孔径为0.1-1.5μm的孔洞占过渡层孔洞总数的80%以上,多孔层中孔径为0.3-8μm的孔洞占多孔层孔洞总数的80%以上,吸附层中孔径为0.1-2μm的孔洞占吸附层孔洞总数的80%以上;所述过渡层含有氧化钇稳定的氧化锆和镁铝尖晶石,所述多孔层含有氧化锆、镁铝尖晶石和贵金属;所述吸附层含有氧化镁、氧化钙、氧化铝、硫酸镁和氧化钡。本发明的片式氧传感器,与现有技术相比,灵敏度高、抗热震性好且使用寿命长。

    一种片式氧传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102235994B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201010160291.2

    申请日:2010-04-23

    Abstract: 本发明提供了一种片式氧传感器,所述片式氧传感包括加热体和加热体上部的测氧体;所述加热体,包括两个绝缘层和夹持于两绝缘层间的加热电极;所述测氧体,从下至上依次包括参比气基片、电解质层和多孔保护层;所述片式氧传感器还包括位于加热体和测氧体中间的过渡层,所述过渡层含有氧化锆、氧化硅和氧化铝。本发明还提供了所述片式氧传感器的制备方法。采用本发明提高的制备方法得到的片式氧传感器,各层结合紧密,密封性和抗热震性较高,使用寿命较长。

    一种片式氧传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102109486B

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN200910189453.2

    申请日:2009-12-26

    Inventor: 王田军 徐斌

    Abstract: 本发明提供了一种片式氧传感器及其制备方法。本发明的片式氧传感器的多孔保护层,包括过渡层、多孔层和吸附层,各层上均具有孔洞使多孔保护层从下至上连通;过渡层中孔径为0.1-1.5μm的孔洞占过渡层孔洞总数的80%以上,多孔层中孔径为0.3-8μm的孔洞占多孔层孔洞总数的80%以上,吸附层中孔径为0.1-2μm的孔洞占吸附层孔洞总数的80%以上;所述过渡层含有氧化钇稳定的氧化锆和镁铝尖晶石,所述多孔层含有氧化锆、镁铝尖晶石和贵金属;所述吸附层含有氧化镁、氧化钙、氧化铝、硫酸镁和氧化钡。本发明的片式氧传感器,与现有技术相比,灵敏度高、抗热震性好且使用寿命长。

    一种片式氧传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102109488B

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN200910189440.5

    申请日:2009-12-25

    Inventor: 徐斌 王田军

    Abstract: 本发明提供了一种片式氧传感器及其制备方法。本发明的片式氧传感器的多孔保护层,包括过渡层、多孔层和致密层,各层上均具有孔洞使多孔保护层从下至上连通;所述过渡层含有氧化锆和镁铝尖晶石,过渡层的平均孔径为0.1-2.5μm,孔隙率为20-40%;所述多孔层含有氧化锆、镁铝尖晶石和贵金属,多孔层的平均孔径为0.1-3.5μm,孔隙率为30-50%;所述致密层为氧化锆,致密层的平均孔径为2-3μm,孔隙率为20-40%。本发明的片式氧传感器,与现有技术相比,灵敏度高、抗热震性好且使用寿命长。

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