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发明公开
半导体器件及制备半导体器件的方法、电子设备和车辆审中-公开

公开(公告)号：CN119852251A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411465234.3

申请日：2024-10-18

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 高洋 , 陈刚 , 林炎楷 , 陈运发 , 李真真

IPC: H01L23/31 , H10D64/23 , H10D8/00 , H10D8/01 , H10H29/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及制备半导体器件的方法、电子设备和车辆，其中，半导体器件包括：第一导电类型的衬底、金属电极和第一漏电防护层，金属电极位于衬底的上表面上；第一漏电防护层位于金属电极与衬底的侧面之间的衬底表面上。本发明的器件实现了金属电极与衬底的侧面之间的有效隔断，降低了漏电的潜在风险，提升了器件的稳定性和可靠性。

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