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公开(公告)号：CN106811614B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201510854438.0
申请日：2015-11-27
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金精炼变质剂及其制备方法及压铸硅铝合金的制备方法及制备的压铸硅铝合金，该精炼变质剂的配方包括：30‑40质量％的氯化钠、10‑20质量％的氯化钾、10‑20质量％的六氟铝酸钠、5‑10质量％的磷、3‑5质量％的硫代硫酸钠、3‑8质量％的碳酸钙、1‑3质量％的六氟苯、10‑20质量％的六氯乙烷和3‑8质量％的稀土。采用本发明的精炼变质剂进行制备硅铝合金，硅铝合金中初晶硅能够得到细化，从而提高硅铝合金的力学性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119839454A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411815011.5
申请日：2024-12-10
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: B23K26/362 , B23K26/064 , B65H20/02
Abstract: 本申请提供一种激光划线装置及激光划线设备，涉及激光设备技术领域。该激光划线装置包括均化件和分隔件，均化件用于接收发光件所产生的初始光束，并对初始光束进行均匀化，以形成能量均匀的光束；分隔件设置在能量均匀的光束的传输路径上，并位于均化件的一侧；分隔件用于将均匀化后的光束分隔形成多束子光束。本申请实施例能够形成能量一致的多束子光束，进而提高多条划线的深度一致性，并提高了激光划线装置的所制备产品的性能。
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公开(公告)号：CN118688902A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410822863.0
申请日：2024-06-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种平面分光无源光芯片的制备方法，包括制作旋转光束，并通过所述旋转光束对硅基螺旋切割改性，经氢氟酸溶液腐蚀以形成光纤阵列排；在所述硅基上沉积金属层；制作光学器件，并将所述光学器件连接至所述金属层；将光纤连接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件连接至所述光纤阵列排的另一端。本申请实施例提供的制备方法通过引入旋转光束切割硅基技术，简化了硅基切割和改性的步骤，也提高了切割质量和切割效率，同时优化了金属层沉积和光学器件连接等工艺，从而降低了制备难度与制备成本，还提高了生产效率，使得光芯片的制备更加高效、经济。
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公开(公告)号：CN106811614A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510854438.0
申请日：2015-11-27
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金精炼变质剂及其制备方法及压铸硅铝合金的制备方法及制备的压铸硅铝合金，该精炼变质剂的配方包括：30-40质量％的氯化钠、10-20质量％的氯化钾、10-20质量％的六氟铝酸钠、5-10质量％的磷、3-5质量％的硫代硫酸钠、3-8质量％的碳酸钙、1-3质量％的六氟苯、10-20质量％的六氯乙烷和3-8质量％的稀土。采用本发明的精炼变质剂进行制备硅铝合金，硅铝合金中初晶硅能够得到细化，从而提高硅铝合金的力学性。
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公开(公告)号：CN105779912A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410827111.X
申请日：2014-12-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种提高非晶合金冶炼坩埚寿命的方法，包括：将无机粉末加入至溶剂中配制成悬浮液，然后将悬浮液喷涂到坩埚内壁，在低于600℃的温度下短时烘干，在坩埚内壁形成保护涂层；所述无机粉末为无机氧化物和/或无机氮化物。采用本发明提供的方法对坩埚进行处理，该方法简单易行，成本低，效果显著。
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公开(公告)号：CN201345775Y
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200820235735.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Inventor： 朱琦
Abstract: 本实用新型提供一种用于收卷装置的除静电装置，包括表面除静电装置和端面除静电装置，其特征在于，端面除静电装置包括静电刷1、弹性部件2和连杆3；所述静电刷1具有至少一个朝向料卷端面b突出的凸部，所述凸部与料卷端面b保持良好的接触，所述静电刷1接地；所述弹性部件2的一端与所述静电刷1连接，另一端与连杆3的一端连接，所述弹性部件2的伸缩使所述静电刷1压着料卷端面b；所述静电刷1通过接触料卷端面b将其上的静电消除。
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