公开(公告)号：CN105633064A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410623813.6

申请日：2014-11-06

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 曾秋莲 ,  罗明辉 ,  侯颖 ,  徐文辉 ,  杨钦耀

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体组件及其制备方法，半导体组件包括：金属底板，金属底板上设有第一焊接面；覆金属陶瓷基板，覆金属陶瓷基板设在金属底板上且与第一焊接面焊接相连，覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面；芯片，芯片设在覆金属陶瓷基板上且与第二焊接面焊接相连，第一焊接面和第二焊接面中的至少一个上设有突出于第一焊接面和/或第二焊接面的凸点，金属底板与覆金属陶瓷基板之间的焊料和/或芯片与覆金属陶瓷基板之间的焊料分别设在凸点上，凸点的熔点大于焊料的焊接温度。根据本发明实施例的半导体组件，不仅改善了焊料分布的均匀性，提高了半导体组件的可靠性和使用寿命，而且提高了焊料的润湿性。

公开(公告)号：CN105633064B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201410623813.6

申请日：2014-11-06

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 曾秋莲 ,  罗明辉 ,  侯颖 ,  徐文辉 ,  杨钦耀

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体组件及其制备方法，半导体组件包括：金属底板，金属底板上设有第一焊接面；覆金属陶瓷基板，覆金属陶瓷基板设在金属底板上且与第一焊接面焊接相连，覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面；芯片，芯片设在覆金属陶瓷基板上且与第二焊接面焊接相连，第一焊接面和第二焊接面中的至少一个上设有突出于第一焊接面和/或第二焊接面的凸点，金属底板与覆金属陶瓷基板之间的焊料和/或芯片与覆金属陶瓷基板之间的焊料分别设在凸点上，凸点的熔点大于焊料的焊接温度。根据本发明实施例的半导体组件，不仅改善了焊料分布的均匀性，提高了半导体组件的可靠性和使用寿命，而且提高了焊料的润湿性。