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公开(公告)号：CN119673414A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411637702.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
Abstract: 本申请涉及一种微针组件，所述微针组件包括微针底座和微针机构，所述微针底座的中部设置有呈阵列分布的微针导向孔；所述微针机构安装于所述微针底座上，所述微针机构包括微针安装板和微针阵列结构，所述微针安装板的内壁上开设有卡槽；所述微针阵列结构卡设于所述卡槽上，所述微针阵列结构具有间隔分布的一列微针，所述微针穿过所述微针导向孔。本申请提供的微针组件中，微针阵列结构上设置有一列多根微针，安装时各微针从微针底座的微针导向孔中穿出，以进入脑组织中，可见，本申请植入时，呈阵列式的一次性植入多根，相比一根一根的植入，本申请植入效率明显得到提升。本申请使用微针阵列，可以实现多通道数高通量的双向神经信号采集与调控。
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公开(公告)号：CN117919595A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410151212.3
申请日：2024-02-02
Applicant: 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及生物医学工程技术脑机接口神经微电极技术领域，具体涉及一种可检测温度的微针及其制作方法，包括微针体和集成电路芯片；所述微针体的植入部分上设置有热敏电阻，所述热敏电阻与所述集成电路芯片电连接。本发明通过在微针体的植入部分上增加热敏电阻，并与集成电路芯片电连接，通过测量回路中电流/电压的变化，计算出热敏电阻的电阻值变化，从而推断出温度的变化，实现对微针周围温度的检测，以便于根据微针周围的温度情况及时调整电刺激，避免持续高温导致周围神经元损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119587035A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411637710.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
Abstract: 本申请涉及一种脑机接口系统及其使用方法，其包括：硬质底座，硬质底座固定有多个硬质微针；柔性电极基底，柔性电极基底可拆卸地连接于硬质底座，柔性电极基底一体成型有多个柔性电极微针，且柔性电极微针可拆卸地连接于硬质微针。通过设置硬质底座，使柔性电极基底可以在硬质底座的带动下移动至待测脑组织内指定深度处，柔性电极微针也可以被硬质微针支撑，共同移动至待测脑组织内指定深度，当移动至待测脑组织内指定深度后，柔性电极微针固定至待测脑组织，硬质微针与柔性电极微针分离，从而可以使硬质底座带动硬质微针移出待测脑组织，解决了采用柔性电极无法做到手术一次性整体植入，操作步骤较为复杂，增加了手术时长的技术问题。
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公开(公告)号：CN119690243A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411637701.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
Abstract: 本申请公开了柔性微电极阵列及其制备方法、脑机接口装置，涉及人工智能领域。包括：柔性衬底、多个脑信号金属电极、第一金属导接组件及第二金属导接组件，所述柔性衬底具有相对设置的第一侧和第二侧；所述多个脑信号金属电极设于所述第一侧，形成电极阵列；所述第一金属导接组件，设于所述柔性衬底的第二侧，并封装于所述柔性衬底内，包括多个第一连接位点和多条连接导线；所述第二金属导接组件包括多个暴露于所述柔性衬底的第二连接位点，所述第二连接位点设于所述柔性衬底的第一侧或第二侧；多个第一连接位点与多个脑信号金属电极分别相连，同时通过多条连接导线与多个第二连接位点分别相连；多个所述第二连接位点用以与处理器通信连接。
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公开(公告)号：CN119473017A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411637703.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
Abstract: 本申请涉及一种脑机接口装置及安装方法，接口底座开设有贯穿通道，且所述贯穿通道的内壁设置有底托，所述接口底座的上边缘形成有顶托；篦子安装于所述接口底座，并承托于所述底托上，所述篦子的中部设置有呈阵列分布的篦子孔洞；微针组件包括微针底座以及微针机构，所述微针底座安装于所述篦子上，且其中部设置有呈阵列分布的微针导向孔，所述微针机构安装于所述微针底座上，且其微针依次穿过所述微针导向孔、篦子孔洞和接口底座的贯穿通道；所述篦子孔洞的孔径大于所述微针导向孔的孔径。本申请提高了微针的机械稳定性，保证了微针植入的可靠性。
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公开(公告)号：CN118004963A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311821418.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及神经电极技术领域，提供了一种神经电极组件的制备方法，包括如下步骤：于硅基底上敷设第一层柔性衬底，并于第一层柔性衬底上制备导电部，导电部用于与CMOS芯片互联；再次敷设第二层柔性衬底，并使柔性衬底包裹导电部，仅露出导电部远离硅基底的表面；翻转S2步骤制备的结构，使得硅基底朝上，并将该结构装于载体上；对朝上的硅基底进行刻蚀，留下独立的小硅基底，将小硅基底弯折至远离第二层柔性衬底，得到硬质微针电极；去掉载体，得到具有导电部的柔性平面电极。还提供一种神经电极组件。本发明采用MEMS加工工艺，可以在同一片晶圆上实现硬质微针电极和柔性平面电极的同时制备，并能够一次制备若干产品，降低了神经电极组件的制备难度。
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公开(公告)号：CN221637122U
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202323478832.8
申请日：2023-12-20
Applicant: 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
Abstract: 本实用新型涉及生物医学工程技术脑机接口神经微电极技术领域，具体涉及一种全方位包覆生物相容性涂层的神经电极，包括体电极，所述体电极上设置有至少一个电极触点，所述体电极的表面全方位包覆有生物相容性涂层，所述生物相容性涂层上对应各所述电极触点的位置均设置有第一开槽。本实用新型通过在神经电极的表面全方位包覆生物相容性涂层，能够有效地改善神经电极的生物相容性，降低微针电极在长期植入过程中产生炎症的概率。
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