公开(公告)号：CN119843316A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510048985.3

申请日：2025-01-13

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 霍开富 ,  任玉磊 ,  宋豪 ,  李秀丽

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明属于催化剂的制备领域，具体公开了一种制备碳包覆磷化钼的方法，包括：利用碳化钼作为框架和模板，通过磷化反应，使碳化钼中的碳原子被置换出来并得到磷化钼。这种原位置换的方式属于非破坏性置换反应，能够保持碳化钼原始的形貌与结构，同时所置换出来的碳，一部分沉积在磷化钼表面，形成原位碳层并紧密包覆在磷化钼表面。本发明提供的原位置换法，可以极大地降低碳包覆磷化钼的制备难度，并实现短周期、简单方便、易工业化的制备。

公开(公告)号：CN115642037A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211388038.1

申请日：2022-11-03

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 霍开富 ,  李秀丽 ,  付继江

IPC: H01G11/22 ,  H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/32

Abstract: 本发明公开一种二维氧掺杂氮化钛/二维氮掺杂碳复合电极材料及其制备方法，将辛二胺分子插入层状镍掺杂钛酸(H0.8Ti1.6Ni0.4O4)纳米片层间，然后通过空间限域的低温预碳化、高温碳化和热氮化反应，插层的辛二胺分子碳化为二维氮掺杂碳片，同时TiO2原位氮化为二维氧掺杂的氮化钛(TiNOx)，制备出纳米尺度下逐层复合的二维TiNOx/NC复合电极材料。复合材料中碳的插层有效提升二维氧掺杂氮化钛纵向导电性，提升材料的电化学利用率、体积比容量及电化学稳定性；通过控制氮化时间调控氮化物中氮氧比，从而调节材料中赝电容的大小，提出提升赝电容储能方法，为过渡金属氮化物电容材料的设计提供指导。

公开(公告)号：CN115763090A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211520950.8

申请日：2022-11-30

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 霍开富 ,  王成 ,  李秀丽 ,  高标

IPC: H01G11/32 ,  H01G11/86 ,  H01G11/24

Abstract: 本发明公开了一种二维碳化钼/氮化钼复合电极材料及其制备方法与应用，以天然辉钼精矿为前驱体，将其与碱性金属化合物和尿素研磨混合后，在Ar/H2气氛下热处理，制备出二维碳化钼纳米片，进一步在氨气氛下，热处理，得到二维碳化钼/氮化钼纳米片复合材料；本发明所得的二维碳化钼/氮化钼复合材料中低功函数的碳化钼向高功函数的氮化钼转移电子，有效促进了其在酸性电解液中的电容性能，是一种较有前景的超级电容器电极材料；通过调控氮化时间来探究碳化钼和氮化钼的相对含量及对赝电容大小的影响规律，认识碳化物和氮化物比例对电容性能的影响，为设计高性能钼基电容材料提供指导。

公开(公告)号：CN117985729A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410165549.X

申请日：2024-02-05

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 霍开富 ,  任玉磊 ,  宋豪 ,  李秀丽

IPC: C01B35/04 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于过渡金属硼化物的制备领域，具体公开了一种过渡金属硼化物、制备方法及其应用，包括：利用还原性金属粉末作为还原剂，熔融后将固相反应转变为液相反应，加速反应的进行，有效地降低反应物达到熔融态时所需的温度。通过将过渡金属硫化物、还原剂和硼粉简单混合，在保护气氛下退火反应，得到包括副产物和过渡金属硼化物的混合产物，洗涤干燥后得到过渡金属硼化物。本发明采用还原性金属辅助法，仅需简单混合、退火和洗涤等步骤，即可制备过渡金属硼化物，极大地降低了制备过渡金属硼化物的难度，实现低成本、简单方便、易工业化的过渡金属硼化物制备。