-
公开(公告)号:CN112397702A
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN202011360513.5
申请日:2020-11-27
Applicant: 武汉科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525
Abstract: 一种FeSix嵌入多孔硅复合材料及其制备方法和应用,该复合材料整合了纳米级和微米级Si的固有优点,通过三维双连续纳米孔实现电解质的快速扩散和高Li+可及性,而相互连接的纳米级硅韧带可防止粉碎和破裂;通过三维双连续纳米孔组成的三维双连续纳米多孔网络允许Si纳米配体向内扩展体积,而没有明显的粒径变化;通过FeSix嵌入在多孔硅复合材料内部,一方面起到支撑作用,另一方面,由于FeSix的电阻率比硅低200倍,其在多孔硅中可作为导电剂,加快电子电子/锂离子的运输速度锗能有效的提高导电性能,能明显的提高电池的首次库伦效率。
-
公开(公告)号:CN112744817B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN202011360512.0
申请日:2020-11-27
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B33/037 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M10/0525
Abstract: 一种多孔结构的太阳能级硅及其制备方法和应用,所述多孔结构的太阳能级硅制备是以低品位硅铁为原料,在镁合金化和氮化去合金化过程中利用硅与杂质元素反应活度差异进行两次相分离效应实现硅和杂质的分离,副产物氮化镁形成有利于杂质的溶解和去除;同时整合了纳米级和微米级Si的固有优点,通过三维双连续纳米孔实现,更多硅相暴露在酸液中,有利于在酸洗过程中杂质进一步降低,而相互连接的纳米级硅韧带可防止结构在酸洗过程中粉碎和破裂。
-
公开(公告)号:CN112744817A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202011360512.0
申请日:2020-11-27
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B33/037 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M10/0525
Abstract: 一种多孔结构的太阳能级硅及其制备方法和应用,所述多孔结构的太阳能级硅制备是以低品位硅铁为原料,在镁合金化和氮化去合金化过程中利用硅与杂质元素反应活度差异进行两次相分离效应实现硅和杂质的分离,副产物氮化镁形成有利于杂质的溶解和去除;同时整合了纳米级和微米级Si的固有优点,通过三维双连续纳米孔实现,更多硅相暴露在酸液中,有利于在酸洗过程中杂质进一步降低,而相互连接的纳米级硅韧带可防止结构在酸洗过程中粉碎和破裂。
-
-