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公开(公告)号：CN101692479B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910272326.9
申请日：2009-09-29
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： H01L35/34
摘要： 本发明涉及一种高锰硅热电材料的制备方法。一种P型高锰硅热电材料的制备方法，它包括如下步骤：1)以Mn粉和Si粉为原料，按Si粉与Mn粉的摩尔比＝1.70～1.85∶1混合，在压片机上压成块状，得到块体；2)将得到的块体在高频感应熔融炉中并在氩气氛保护条件下熔炼，冷却后得到合金块体；3)采用单辊急冷法，首先将得到的合金块体装入单辊急冷设备中，利用高频感应方式将其熔融；4)在氩气氛中对熔融的合金进行甩带，得到高锰硅化合物薄带材料；5)将得到的高锰硅化合物薄带材料碾磨粉碎成粉末，对粉末进行放电等离子体烧结，得到P型高锰硅热电材料。本发明成本低廉、工艺简单，工艺参数容易控制，所制备的材料性能高，具有很高的商业应用前景。
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公开(公告)号：CN101736173B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010028933.3
申请日：2010-01-08
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明涉及一种热电化合物的制备方法。熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2+x称重，其中，x＝0～0.08；2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，加热到700℃，熔融8～10h，然后降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金；3)将母合金研磨、压片，置于感应加热炉中熔炼成熔体，然后将熔体旋甩，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，采用放电等离子烧结，得碲化银锑热电材料。该方法制备周期短、成本低、物相纯、工艺简单易控、安全无污染。
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公开(公告)号：CN101602494B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910063193.4
申请日：2009-07-17
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明涉及一种AgSbTe2热电化合物粉体的制备方法。AgSbTe2热电化合物粉体的超声化学制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将去离子水作为溶剂，然后加入分析纯的AgNO3、C4H4KO7Sb·1/2H2O和TeO2，并搅拌混合，得到混合溶液A；2)将氨水倒入混合溶液A中，超声30min，得到混合溶液B；3)在混合溶液B中加入还原剂NaBH4，超声充分反应2～6小时，得到产物C；4)将步骤3)得到的产物C进行离心，在真空干燥箱中干燥，得到AgSbTe2热电化合物的前驱体；5)将步骤4)得到的前驱体在氢气气氛下于450～500℃还原1～4小时，得到AgSbTe2热电化合物粉体。该方法原料廉价易得，工艺简单易控，反应时间短，能耗低，安全无污染，重复性好，且可用于大规模制备。
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公开(公告)号：CN101602494A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910063193.4
申请日：2009-07-17
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明涉及一种AgSbTe2热电化合物粉体的制备方法。AgSbTe2热电化合物粉体的超声化学制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将去离子水作为溶剂，然后加入分析纯的AgNO3、C4H4KO7Sb·1/2H2O和TeO2，并搅拌混合，得到混合溶液A；2)将氨水倒入混合溶液A中，超声30min，得到混合溶液B；3)在混合溶液B中加入还原剂NaBH4，超声充分反应2～6小时，得到产物C；4)将步骤3)得到的产物C进行离心，在真空干燥箱中干燥，得到AgSbTe2热电化合物的前驱体；5)将步骤4)得到的前驱体在氢气气氛下于450～500℃还原1～4小时，得到AgSbTe2热电化合物粉体。该方法原料廉价易得，工艺简单易控，反应时间短，能耗低，安全无污染，重复性好，且可用于大规模制备。
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公开(公告)号：CN101736173A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010028933.3
申请日：2010-01-08
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明涉及一种热电化合物的制备方法。熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2+x称重，其中，x＝0～0.08；2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，加热到700℃，熔融8～10h，然后降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金；3)将母合金研磨、压片，置于感应加热炉中熔炼成熔体，然后将熔体旋甩，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，采用放电等离子烧结，得碲化银锑热电材料。该方法制备周期短、成本低、物相纯、工艺简单易控、安全无污染。
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公开(公告)号：CN101692479A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910272326.9
申请日：2009-09-29
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： H01L35/34
摘要： 本发明涉及一种高锰硅热电材料的制备方法。一种P型高锰硅热电材料的制备方法，它包括如下步骤：1)以Mn粉和Si粉为原料，按Si粉与Mn粉的摩尔比＝1.70～1.85∶1混合，在压片机上压成块状，得到块体；2)将得到的块体在高频感应熔融炉中并在氩气氛保护条件下熔炼，冷却后得到合金块体；3)采用单辊急冷法，首先将得到的合金块体装入单辊急冷设备中，利用高频感应方式将其熔融；4)在氩气氛中对熔融的合金进行甩带，得到高锰硅化合物薄带材料；5)将得到的高锰硅化合物薄带材料碾磨粉碎成粉末，对粉末进行放电等离子体烧结，得到P型高锰硅热电材料。本发明成本低廉、工艺简单，工艺参数容易控制，所制备的材料性能高，具有很高的商业应用前景。
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