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公开(公告)号：CN111710781B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010598238.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能钙钛矿电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池以以溶液法制备得到的Fe2‑xMgxO3薄膜作为界面钝化层钝化钙钛矿光伏电池钙钛矿光敏层相邻界面，其中0≤x≤0.2，厚度30～40nm。本发明的钙钛矿光伏电池以Fe2‑xMgxO3为界面钝化层，大幅降低钙钛矿电池制备成本，利用铁和碘、氧和铅的相互作用提高钙钛矿薄膜结晶质量，同时，Fe2‑xMgxO3薄膜可以使得载流子快速迁移，降低界面处的电荷积累；适量的镁元素也可以与周围的离子形成强的化学键，稳定钙钛矿相邻界面的结构，减少界面缺陷、降低非辐射复合，达到提高器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN111864081A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010624788.9
申请日：2020-07-01
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于P型Au@Cu2-xS界面钝化层材料的钙钛矿光伏电池及其制备方法，所述电池结构从下至上包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、界面钝化层、空穴传输层和金属电极；所述界面钝化层为核壳结构的Au@Cu2-xS纳米颗粒的涂层，涂层厚度为20～150nm。本发明以溶液法制备分散性良好的核壳结构的Au@Cu2-xS材料，并将其嵌入钙钛矿光伏电池的空穴传输层/光敏层界面，利用Au@Cu2-xS近红外区表现出较强的双重表面等离子体共振吸收特性，拓宽光伏器件吸收光谱范围，显著的提升界面处空穴密度，有效地促进电荷分离及提取，提高电池能量转换效率。
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公开(公告)号：CN111864081B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010624788.9
申请日：2020-07-01
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于P型Au@Cu2‑xS界面钝化层材料的钙钛矿光伏电池及其制备方法，所述电池结构从下至上包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、界面钝化层、空穴传输层和金属电极；所述界面钝化层为核壳结构的Au@Cu2‑xS纳米颗粒的涂层，涂层厚度为20～150nm。本发明以溶液法制备分散性良好的核壳结构的Au@Cu2‑xS材料，并将其嵌入钙钛矿光伏电池的空穴传输层/光敏层界面，利用Au@Cu2‑xS近红外区表现出较强的双重表面等离子体共振吸收特性，拓宽光伏器件吸收光谱范围，显著的提升界面处空穴密度，有效地促进电荷分离及提取，提高电池能量转换效率。
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公开(公告)号：CN111710781A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010598238.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能钙钛矿电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池以以溶液法制备得到的Fe2-xMgxO3薄膜作为界面钝化层钝化钙钛矿光伏电池钙钛矿光敏层相邻界面，其中0≤x≤0.2，厚度30～40nm。本发明的钙钛矿光伏电池以Fe2-xMgxO3为界面钝化层，大幅降低钙钛矿电池制备成本，利用铁和碘、氧和铅的相互作用提高钙钛矿薄膜结晶质量，同时，Fe2-xMgxO3薄膜可以使得载流子快速迁移，降低界面处的电荷积累；适量的镁元素也可以与周围的离子形成强的化学键，稳定钙钛矿相邻界面的结构，减少界面缺陷、降低非辐射复合，达到提高器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN113991025A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111192187.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种以MoS2纳米片钝化光敏层相邻界面的钙钛矿光伏电池及其制备方法。该电池依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层和金属电极；还包括界面钝化层，其中界面钝化层为MoS2纳米片；MoS2纳米片通过球磨法制备得到；界面钝化层位于电子传输层和钙钛矿光敏活性层之间，或钙钛矿光敏活性层和空穴传输层之间。本发明通过简单球磨法所得MoS2纳米片具有较大比表面积和介孔，有效地增大与钙钛矿光敏层和界面层的接触，增加载流子的迁移通道，降低载流子在界面处堆积，平衡界面层对各自载流子抽取率，减少界面复合，从而开发出效率高、寿命长、成本低、稳定性好、高效界面调控技术及其相应光伏器件。
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