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公开(公告)号：CN119243276A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411522893.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 武汉大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯‑孪晶铜基复合材料的电沉积制备装置及系统。其中石墨烯‑孪晶铜复合材料的制备方法包括：通过脉冲电源，以铜磷板为阳极，在含石墨烯和铜离子的复合电镀液中进行电沉积，即在阴极基底上直接得到石墨烯‑孪晶铜复合材料。本发明通过上位机自动调整电沉积过程中的多个参数，实现分散性优异均匀化程度高的石墨烯‑孪晶铜复合材料制备，进一步地，可以通过设定多个不同的参数组合，实现不同石墨烯体积分数，不同孪晶片层厚度的多层多梯度复合材料。在柔性电子等技术领域具有潜在应用价值。
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