公开(公告)号：CN114974468B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202210288129.1

申请日：2022-03-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 吴改 ,  戚梓俊 ,  梁康 ,  沈威 ,  李瑞

IPC: G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G06F30/25 ,  G06F113/26 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供金刚石基复合材料界面热阻的优化方法，包括：步骤1.初步建立未考虑图形化界面的热源和金刚石散热材料超晶胞基础模型；步骤2.从散热材料和热源材料中择一作为基准材料，另一个作为嵌合材料；步骤3.确定基准材料的图形化几何参数P、S、H；步骤4.确定基准材料的图形化排列参数L1、L2、A；步骤5.根据图形化几何参数和图形化排列参数构建具有图形化界面的复合材料模型；步骤6.对模型进行弛豫，使得体系达到平衡态；通过分子动力学模拟，计算材料界面热阻；步骤7.调整改变图形化几何参数和图形化排列参数中的至少一个参数，重复步骤3至6，获得多组数据，确定界面热阻的最小值和所对应的图形化参数。

公开(公告)号：CN114974468A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210288129.1

申请日：2022-03-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 吴改 ,  戚梓俊 ,  梁康 ,  沈威 ,  李瑞

IPC: G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G06F30/25 ,  G06F113/26 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供金刚石基复合材料界面热阻的优化方法，包括：步骤1.初步建立未考虑图形化界面的热源和金刚石散热材料超晶胞基础模型；步骤2.从散热材料和热源材料中择一作为基准材料，另一个作为嵌合材料；步骤3.确定基准材料的图形化几何参数P、S、H；步骤4.确定基准材料的图形化排列参数L1、L2、A；步骤5.根据图形化几何参数和图形化排列参数构建具有图形化界面的复合材料模型；步骤6.对模型进行弛豫，使得体系达到平衡态；通过分子动力学模拟，计算材料界面热阻；步骤7.调整改变图形化几何参数和图形化排列参数中的至少一个参数，重复步骤3至6，获得多组数据，确定界面热阻的最小值和所对应的图形化参数。

公开(公告)号：CN116525568A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211610930.X

申请日：2022-12-13

Applicant: 武汉大学

Inventor： 吴改 ,  沈威 ,  孙展鹏 ,  梁康 ,  何家梁 ,  戚梓俊

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请公开了β‑氧化镓/c‑砷化硼异质结构及制备方法。本技术方案中，通过分子束外延的方法(MBE)制备大尺寸、高质量的c‑BAs晶体，通过设计并引入不同结构和功能的缓冲层，实现β‑Ga2O3与c‑BAs界面的过渡连接，从而解决大尺寸、高质量c‑BAs晶体的制备以及β‑Ga2O3与c‑BAs界面的晶格失配及热膨胀系数不匹配的问题，最终实现高性能β‑Ga2O3/c‑BAs异质结构及其器件的制备，推动半导体器件领域的进一步发展。

公开(公告)号：CN118577964A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410660841.9

申请日：2024-05-27

Applicant: 武汉大学

Inventor： 吴改 ,  沈威 ,  孙展鹏 ,  孙祥 ,  戚梓俊 ,  汪启军 ,  梁康

IPC: B23K26/38 ,  H01L21/78 ,  B23K26/082 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种激光内部划片分割氧化镓的方法，所述方法包括，将氧化镓进行固定，在氧化镓的加工面覆盖胶膜后进行多道次的激光隐形切割，所述激光隐形切割根据氧化镓厚度选择不同的加工道次和激光参数；激光隐形切割完成后，所述胶膜扩展实现氧化镓的裂片，完成分割；其中，对于β‑氧化镓在激光切割时激光的加载方向和胶膜扩展时力的方向根据其晶面方向进行调控。本发明采用激光隐形切割的方式对针对不同厚度的氧化镓进行划片分割，划片效果好、崩边率低；还针对β‑氧化镓调整了激光切割时的激光方向以及裂片时的力的方向，优化了β‑氧化镓的裂片效果。