-
公开(公告)号：CN116525568A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211610930.X
申请日：2022-12-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L23/373 , H01L21/02
Abstract: 本申请公开了β‑氧化镓/c‑砷化硼异质结构及制备方法。本技术方案中，通过分子束外延的方法(MBE)制备大尺寸、高质量的c‑BAs晶体，通过设计并引入不同结构和功能的缓冲层，实现β‑Ga2O3与c‑BAs界面的过渡连接，从而解决大尺寸、高质量c‑BAs晶体的制备以及β‑Ga2O3与c‑BAs界面的晶格失配及热膨胀系数不匹配的问题，最终实现高性能β‑Ga2O3/c‑BAs异质结构及其器件的制备，推动半导体器件领域的进一步发展。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
