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公开(公告)号：CN106252277B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201610785974.4
申请日：2016-08-31
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
发明人： 唐丽娟
摘要： 本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括，在沟道层上沉积形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层包括形成于所述沟道层表面的氧化硅层及层叠于所述氧化硅层上的氮化硅层；其中所述氮化硅层的厚度大于所述氧化硅层的厚度；以所述氮化硅层中的氢作为氢源对形成有栅极绝缘层的沟道层进行氢化；在氮化硅层背向所述氧化硅层的表面上形成凹槽，其中，所述凹槽正投影于所述沟道层中的多晶硅区域；形成位于所述凹槽内的栅极。本发明还提供一种阵列基板及显示装置。
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公开(公告)号：CN105092473B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510408380.7
申请日：2015-07-13
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统。本发明的质量检测，具体包括：向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量确定所述多晶硅薄膜的质量；本发明的质量检测方法与现有质量检测方法相比，提高了质量检测的准确性和效率，从而降低了成本。
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公开(公告)号：CN106775108A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611262899.X
申请日：2016-12-30
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
发明人： 唐丽娟
IPC分类号： G06F3/041 , G06F3/044 , G02F1/1333
CPC分类号： G06F3/0412 , G02F1/13338 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111
摘要： 本发明提供一种In‑Cell触控阵列基板及其制作方法，该In‑Cell触控阵列基板从下往上依次包括衬底基板、TFT结构层、平坦层、公共电极层、第二层间绝缘层、触控电极层、像素电极绝缘层及像素电极层；其中，TFT漏极上方设有像素电极层过孔，像素电极层覆盖该像素电极层过孔，像素电极绝缘层上设有像素电极层凹槽，像素电极层设于像素电极层凹槽与像素电极层过孔上，且在像素电极层过孔以外的像素电极层的表面，与位于像素电极层凹槽之外的像素电极绝缘层的表面处于同一层面。本发明解决了现有技术中，由于公共电极与像素电极层之间的距离增大，导致公共电极与像素电极层之间形成的储存电容值减小，以致出现信号串扰及漏电等问题。
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公开(公告)号：CN106252277A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610785974.4
申请日：2016-08-31
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
发明人： 唐丽娟
摘要： 本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括，在沟道层上沉积形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层包括形成于所述沟道层表面的氧化硅层及层叠于所述氧化硅层上的氮化硅层；其中所述氮化硅层的厚度大于所述氧化硅层的厚度；以所述氮化硅层中的氢作为氢源对形成有栅极绝缘层的沟道层进行氢化；在氮化硅层背向所述氧化硅层的表面上形成凹槽，其中，所述凹槽正投影于所述沟道层中的多晶硅区域；形成位于所述凹槽内的栅极。本发明还提供一种阵列基板及显示装置。
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公开(公告)号：CN105092473A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510408380.7
申请日：2015-07-13
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
CPC分类号： G01N21/17
摘要： 本发明提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统。本发明的质量检测，具体包括：向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量确定所述多晶硅薄膜的质量；本发明的质量检测方法与现有质量检测方法相比，提高了质量检测的准确性和效率，从而降低了成本。
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公开(公告)号：CN105140180A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510521942.9
申请日：2015-08-24
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
发明人： 唐丽娟
CPC分类号： H01L27/1274 , C30B28/02 , C30B29/06 , H01L27/1285
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及多晶硅材料的制作方法。该薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤：A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层；B、利用紫外光照射非晶硅层，以使非晶硅层中的硅-氢键断裂，照射时间为第一预定时间；C、利用红外线光对经过紫外光照射后的非晶硅层进行加热，以使非晶硅层中的氢从非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；D、对经过加热后的非晶硅层进行清洗；E、利用激光将清洗后的非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；F、在多晶硅层上和/或缓冲层上设置显示器件。本发明能有效降低薄膜晶体管阵列基板的制造成本和制造时间，提高薄膜晶体管阵列基板的制造效率。
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公开(公告)号：CN105140180B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201510521942.9
申请日：2015-08-24
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
发明人： 唐丽娟
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及多晶硅材料的制作方法。该薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤：A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层；B、利用紫外光照射非晶硅层，以使非晶硅层中的硅‑氢键断裂，照射时间为第一预定时间；C、利用红外线光对经过紫外光照射后的非晶硅层进行加热，以使非晶硅层中的氢从非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；D、对经过加热后的非晶硅层进行清洗；E、利用激光将清洗后的非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；F、在多晶硅层上和/或缓冲层上设置显示器件。本发明能有效降低薄膜晶体管阵列基板的制造成本和制造时间，提高薄膜晶体管阵列基板的制造效率。
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