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公开(公告)号：CN101876573B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010134052.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，公开了一种基于阵列波导光栅的温度传感器，本发明通过给一个作为温度传感探测元件的至少有两个输出通道的阵列波导光栅输入一个单波长的激光，通过监测阵列波导光栅两个输出通道的光强来获得其环境的温度值，从而实现温度传感的目的。本发明同时提供一种使用上述传感器实现的温度传感方法。本发明相对其它的光纤传感器而言，具有不受激光器功率波动或频率飘移的影响，具有比较高的精度。本发明可以用于存在较强的电磁干扰等各种环境下的温度监测、监控或火灾预防。
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公开(公告)号：CN101876573A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010134052.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，公开了一种基于阵列波导光栅的温度传感器，本发明通过给一个作为温度传感探测元件的至少有两个输出通道的阵列波导光栅输入一个单波长的激光，通过监测阵列波导光栅两个输出通道的光强来获得其环境的温度值，从而实现温度传感的目的。本发明同时提供一种使用上述传感器实现的温度传感方法。本发明相对其它的光纤传感器而言，具有不受激光器功率波动或频率飘移的影响，具有比较高的精度。本发明可以用于存在较强的电磁干扰等各种环境下的温度监测、监控或火灾预防。
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公开(公告)号：CN101813529A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910228048.7
申请日：2009-11-06
Applicant: 武汉烽火富华电气有限责任公司 , 华中科技大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明属于温度测量领域，涉及一种光纤光栅温度传感系统，包括测温传感头和FBG测温控制仪，FBG测温控制仪的SLED光源发射的宽谱光通过第一光纤方向耦合器之后进入测温传感头，所述测温传感头受外部温度的变化而改变周期进而改变中心波长，由宽谱SLED光源发出的光经测温传感头反射后变为中心波长与传感头中心波长对应的窄带信号，该窄带信号依次通过第一方向耦合器和第二方向耦合器后进入温度鉴别器。本发明同时提供了利用此种测温系统实现的多点测温方法。本发明将温度自动控制技术与光纤光栅技术进行了有机结合，改善了一般串联型光纤光栅测温系统的不稳定性，并且降低了成本。本发明还提出了一种简化的光纤光栅测温结构，降低了系统的复杂性，并且进一步降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102910579B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210364144.6
申请日：2012-09-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，包括：（a）软、硬模板的准备步骤；（b）对半导体基片清洗干燥处理后在其表面上涂覆底胶并执行固化处理，接着在该底胶层上镀上硬掩膜层且底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）在硬掩膜层上涂覆光刻胶并经烘烤处理，然后利用软模板在压印胶层上形成所需的纳米图形；（d）通过多次干法刻蚀处理，分别去除压印胶层上的残胶、刻蚀硬掩膜层和底胶层，将所需的纳米图形依次向下转移；（e）利用底胶层上的图形作为掩膜在半导体基片上形成最终的纳米图形产品。通过本发明，可以显著提高底胶掩膜的深宽比并相应获得高深宽比的纳米图形，同时进一步提高所获得纳米图形的图像精细程度。
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公开(公告)号：CN102910579A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210364144.6
申请日：2012-09-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，包括：（a）软、硬模板的准备步骤；（b）对半导体基片清洗干燥处理后在其表面上涂覆底胶并执行固化处理，接着在该底胶层上镀上硬掩膜层且底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）在硬掩膜层上涂覆光刻胶并经烘烤处理，然后利用软模板在压印胶层上形成所需的纳米图形；（d）通过多次干法刻蚀处理，分别去除压印胶层上的残胶、刻蚀硬掩膜层和底胶层，将所需的纳米图形依次向下转移；（e）利用底胶层上的图形作为掩膜在半导体基片上形成最终的纳米图形产品。通过本发明，可以显著提高底胶掩膜的深宽比并相应获得高深宽比的纳米图形，同时进一步提高所获得纳米图形的图像精细程度。
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公开(公告)号：CN103107217B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电池及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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公开(公告)号：CN103107217A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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公开(公告)号：CN201926524U
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200920221973.2
申请日：2009-11-06
Applicant: 武汉烽火富华电气有限责任公司 , 华中科技大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本实用新型属于温度测量领域，涉及一种光纤光栅温度传感系统，包括测温传感头和FBG测温控制仪，FBG测温控制仪的SLED光源发射的宽谱光通过第一光纤方向耦合器之后进入测温传感头，所述测温传感头受外部温度的变化而改变周期进而改变中心波长，由宽谱SLED光源发出的光经测温传感头反射后变为中心波长与传感头中心波长对应的窄带信号，该窄带信号依次通过第一方向耦合器和第二方向耦合器后进入温度鉴别器。本实用新型同时提供了利用此种测温系统实现的多点测温系统。本实用新型将温度自动控制技术与光纤光栅技术进行了有机结合，改善了一般串联型光纤光栅测温系统的不稳定性，并且降低了成本。本实用新型还提出了一种简化的光纤光栅测温结构，降低了系统的复杂性，并且进一步降低了成本。
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