公开(公告)号：CN1258795C

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN02150233.1

申请日：2002-11-05

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 秋叶朗 ,  宇野圭辅 ,  城岛正男 ,  积知范 ,  佐野浩二

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

Abstract: 通过抑制静电驱动器的接通电压和断开电压等工作电压特性的变动，防止向静电驱动器施加额定电压时，静电驱动器不接通，或断开驱动电压时，静电驱动器不断开的现象。相对置地设置固定电极30和可动电极38，在固定电极30的表面形成绝缘膜31。绝缘膜31以氮化膜(SiN)37为主要材料构成，在氮化膜37的正反两面形成氧化膜(SiO2)39、48。在绝缘膜31的上表面与可动电极38对置的区域设置有多个突起32。绝缘膜31的带电量主要由氧化膜48的膜厚决定，使用氮化膜47是为确保耐压特性等所需的必要膜厚。

公开(公告)号：CN1417826A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02150233.1

申请日：2002-11-05

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 秋叶朗 ,  宇野圭辅 ,  城岛正男 ,  积知范 ,  佐野浩二

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

Abstract: 通过抑制静电驱动器的接通电压和断开电压等工作电压特性的变动，防止向静电驱动器施加额定电压时，静电驱动器不接通，或断开驱动电压时，静电驱动器不断开的现象。相对置地设置固定电极30和可动电极38，在固定电极30的表面形成绝缘膜31。绝缘膜31以氮化膜(SiN)37为主要材料构成，在氮化膜37的正反两面形成氧化膜(SiO2)39、48。在绝缘膜31的上表面与可动电极38对置的区域设置有多个突起32。绝缘膜31的带电量主要由氧化膜48的膜厚决定，使用氮化膜47是为确保耐压特性等所需的必要膜厚。

公开(公告)号：CN100459010C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610057057.0

申请日：2006-03-17

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 佐野浩二 ,  木村勇 ,  城岛正男

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009

Abstract: 静电微开关及其制造方法、以及具有静电微开关的装置。本发明的课题是提供可以维持高频特性、同时防止驱动电压上升或动作速度下降的静电微开关。作为解决手段，本发明的静电微开关通过设置在固定基板(10)上的固定电极(12)和弹性支撑在固定基板(10)上的可动基板(20)中的可动电极(23)之间的静电引力，使可动基板(20)变位，由此进行设置在固定基板(10)上的信号线(14)和设置在可动基板(20)上的可动触点(28)之间的通断。可动基板(20)由包含多种电阻率的半导体构成，在可动电极(23)中，与固定电极(12)相对的部分为低电阻率。此外，在可动基板(20)中与信号线(14)相对的部分为高电阻率。

公开(公告)号：CN1848343A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610057057.0

申请日：2006-03-17

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 佐野浩二 ,  木村勇 ,  城岛正男

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009

Abstract: 静电微开关及其制造方法、以及具有静电微开关的装置。本发明的课题是提供可以维持高频特性、同时防止驱动电压上升或动作速度下降的静电微开关。作为解决手段，本发明的静电微开关通过设置在固定基板(10)上的固定电极(12)和弹性支撑在固定基板(10)上的可动基板(20)中的可动电极(23)之间的静电引力，使可动基板(20)变位，由此进行设置在固定基板(10)上的信号线(14)和设置在可动基板(20)上的可动触点(28)之间的通断。可动基板(20)由包含多种电阻率的半导体构成，在可动电极(23)中，与固定电极(12)相对的部分为低电阻率。此外，在可动基板(20)中与信号线(14)相对的部分为高电阻率。