公开(公告)号：CN102636543A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210026320.5

申请日：2012-02-07

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 新谷幸弘 ,  竹中一马

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/414 ,  G01N27/308

Abstract: 本发明提供一种pH传感器，其具有参照极和作用极，该参照极包含栅极由具有氢离子不敏感终端的金刚石表面构成的p通道场效应晶体管。

公开(公告)号：CN102636543B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210026320.5

申请日：2012-02-07

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 新谷幸弘 ,  竹中一马

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/414 ,  G01N27/308

Abstract: 本发明提供一种pH传感器，其具有参照极和具有氢离子感应膜的作用极，该参照极包含栅极由具有氢离子不敏感终端的金刚石表面构成的p通道场效应晶体管，其中，上述金刚石表面包含将实施了氢终端处理后的金刚石的氢终端的一部分置换为氧终端或氟终端的氢离子不敏感终端。

公开(公告)号：CN104419935A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410421139.3

申请日：2014-08-25

Applicant: 横河电机株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 新谷幸弘 ,  猿谷敏之 ,  川原田洋

IPC: C23F4/00 ,  C23C16/44 ,  H01L21/335 ,  G01N27/414

CPC classification number: H01L21/042 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  G01N27/4145 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/66045

Abstract: 本发明的一个实施方式的金刚石薄膜的表面处理方法中，根据需要的金刚石薄膜的表面特性，进行在不在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜的情况下将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第一取代处理、以及一边在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜一边将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第二取代处理中的任意一者的处理。本发明还提供晶体管的制造方法和传感器元件。

公开(公告)号：CN102683426A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210061944.0

申请日：2012-03-09

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 竹中一马 ,  新谷幸弘

IPC: H01L29/84 ,  G01B7/16 ,  G01L1/22 ,  G01L9/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: G01B7/18 ,  G01L1/18 ,  G01L9/0055

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置，其具有因外力的作用而使半导体的电阻值变化的压电电阻体，其特征在于，具有作为上述半导体起作用的被氢终端化的金刚石表面。

公开(公告)号：CN108780060B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201780013812.1

申请日：2017-03-02

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  横河电机株式会社

Inventor： 川原田洋 ,  稻叶优文 ,  穆赫德·苏克里·沙伊利·法利纳·宾蒂 ,  楢村卓朗 ,  五十岚圭为 ,  新谷幸弘 ,  小河晃太朗

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416

Abstract: 一种电子部件，其特征在于，具备：场效应晶体管，其构成离子传感器的工作电极；以及驱动电路，其在上述场效应晶体管的源电极与漏电极之间产生电位差，上述场效应晶体管的参比电极电位被固定。

公开(公告)号：CN104419935B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201410421139.3

申请日：2014-08-25

Applicant: 横河电机株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 新谷幸弘 ,  猿谷敏之 ,  川原田洋

IPC: C23F4/00 ,  C23C16/44 ,  H01L21/335 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明的一个实施方式的金刚石薄膜的表面处理方法中，根据需要的金刚石薄膜的表面特性，进行在不在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜的情况下将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第一取代处理、以及一边在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜一边将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第二取代处理中的任意一者的处理。本发明还提供晶体管的制造方法和传感器元件。

公开(公告)号：CN108780060A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013812.1

申请日：2017-03-02

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  横河电机株式会社

Inventor： 川原田洋 ,  稻叶优文 ,  穆赫德·苏克里·沙伊利·法利纳·宾蒂 ,  楢村卓朗 ,  五十岚圭为 ,  新谷幸弘 ,  小河晃太朗

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416

Abstract: 一种电子部件，其特征在于，具备：场效应晶体管，其构成离子传感器的工作电极；以及驱动电路，其在上述场效应晶体管的源电极与漏电极之间产生电位差，上述场效应晶体管的参比电极电位被固定。