公开(公告)号：CN106705925B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610996850.0

申请日：2016-08-05

申请人： 森萨塔科技公司

发明人： A·勒金德尔 ,  C·布斯奎特 ,  N·皮特拉尔卡

IPC分类号： G01B21/32

CPC分类号： G01L3/108 ,  G01B5/30 ,  G01B7/18 ,  G01L1/048

摘要： 在一个实施例中，传感器基板包括第一端、第二端和本体。本体包括用于容纳一个或更多感测元件的构造。第一端和第二端包括用于使传感器基板附接到轴上的附接位置。另外，第一端和第二端包括弯曲部分。对于特定的端部，附接位置的间隔和/或弯曲部分的深度可以部分地限定端部的柔性。该柔性可以用于控制感测元件的敏感度。

公开(公告)号：CN106705925A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610996850.0

申请日：2016-08-05

申请人： 森萨塔科技公司

发明人： A·勒金德尔 ,  C·布斯奎特 ,  N·皮特拉尔卡

IPC分类号： G01B21/32

CPC分类号： G01L3/108 ,  G01B5/30 ,  G01B7/18 ,  G01L1/048 ,  G01B21/32

摘要： 在一个实施例中，传感器基板包括第一端、第二端和本体。本体包括用于容纳一个或更多感测元件的构造。第一端和第二端包括用于使传感器基板附接到轴上的附接位置。另外，第一端和第二端包括弯曲部分。对于特定的端部，附接位置的间隔和/或弯曲部分的深度可以部分地限定端部的柔性。该柔性可以用于控制感测元件的敏感度。

公开(公告)号：CN106017750A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610240558.6

申请日：2016-03-25

申请人： 森萨塔科技公司

发明人： 霍史红 ,  C·布斯奎特 ,  D·冈卡尔维斯

IPC分类号： G01L1/18

CPC分类号： G01L1/18 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/0084 ,  G01R17/00

摘要： 本公开涉及半导体应变仪.公开了一种用于半导体应变仪压力传感器的方法和装置.装置包括被配置为暴露于压力环境的感测元件，感测元件包括至少一个高掺杂半导体应变仪，该高掺杂半导体应变仪包括5焊盘单惠斯通全电桥，装置还包括设置在载体上并且电耦接到感测元件的电子封装件，所述载体设置在包括感测元件的端口上，壳体围绕感测元件和电子封装件设置，以及装置包括连接器，该连接器连到壳体并且电连接到电子封装件。