公开(公告)号：CN102484052B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080033519.X

申请日：2010-07-21

Applicant: 桑迪士克科技股份有限公司

Inventor： 维诺德·罗伯特·普拉亚思 ,  詹姆斯·K·卡伊 ,  东谷政昭 ,  塔卡西·奥里莫托 ,  乔治·马塔米斯 ,  亨利·钦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/76224 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/788 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/936

Abstract: 将基于纳米结构的电荷存储区域(CSR1-CSR5)包括在非易失性存储器设备中，并且与选择栅极(SG1)和外围电路(PG1、PG2)的制作集成在一起。在存储器阵列区和外围电路区的衬底上，应用一个或多个纳米结构涂层。提供用于从衬底的非期望区(例如用于选择栅极和外围晶体管的目标区)除去纳米结构涂层的各种方法。在一个示例中，使用基于自组装的过程形成一个或多个纳米结构涂层，以在衬底的有源区上有选择地形成纳米结构。自组装允许形成彼此电绝缘的离散的纳米结构线，而不需要对纳米结构涂层进行图案化或蚀刻。

公开(公告)号：CN102484052A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080033519.X

申请日：2010-07-21

Applicant: 桑迪士克科技股份有限公司

Inventor： 维诺德·罗伯特·普拉亚思 ,  詹姆斯·K·卡伊 ,  东谷政昭 ,  塔卡西·奥里莫托 ,  乔治·马塔米斯 ,  亨利·钦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/76224 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/788 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/936

Abstract: 将基于纳米结构的电荷存储区域(CSR1-CSR5)包括在非易失性存储器设备中，并且与选择栅极(SG1)和外围电路(PG1、PG2)的制作集成在一起。在存储器阵列区和外围电路区的衬底上，应用一个或多个纳米结构涂层。提供用于从衬底的非期望区(例如用于选择栅极和外围晶体管的目标区)除去纳米结构涂层的各种方法。在一个示例中，使用基于自组装的过程形成一个或多个纳米结构涂层，以在衬底的有源区上有选择地形成纳米结构。自组装允许形成彼此电绝缘的离散的纳米结构线，而不需要对纳米结构涂层进行图案化或蚀刻。

公开(公告)号：CN102084463B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200980126320.9

申请日：2009-07-02

Applicant: 桑迪士克科技股份有限公司

Inventor： 达纳·李 ,  亨利·钦 ,  詹姆斯·卡伊 ,  塔卡西·W·奥里莫托 ,  维诺德·R·普拉亚思 ,  乔治·马塔米斯

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 本发明公开了一种包括一组非易失性存储元件的存储器系统。特定的存储器单元在浮置栅极之上设置有电介质盖。在一个实施例中，该电介质盖位于浮置栅极和共形IPD层之间。该电介质盖降低了浮置栅极和控制栅极之间的漏电流。该电介质盖通过减弱浮置栅极顶部的电场强度将漏电流降低，且对于具备细干的浮置栅极，在不设置电介质盖的情况下，浮置栅极顶部的电场强度最强。