公开(公告)号：CN102084463B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200980126320.9

申请日：2009-07-02

Applicant: 桑迪士克科技股份有限公司

Inventor： 达纳·李 ,  亨利·钦 ,  詹姆斯·卡伊 ,  塔卡西·W·奥里莫托 ,  维诺德·R·普拉亚思 ,  乔治·马塔米斯

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 本发明公开了一种包括一组非易失性存储元件的存储器系统。特定的存储器单元在浮置栅极之上设置有电介质盖。在一个实施例中，该电介质盖位于浮置栅极和共形IPD层之间。该电介质盖降低了浮置栅极和控制栅极之间的漏电流。该电介质盖通过减弱浮置栅极顶部的电场强度将漏电流降低，且对于具备细干的浮置栅极，在不设置电介质盖的情况下，浮置栅极顶部的电场强度最强。