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公开(公告)号：CN111373534B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201980005833.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Abstract: 一种三维存储器装置包含位于衬底上方的绝缘层与字线层级导电层的交替堆叠，和位于所述交替堆叠上方的漏极选择层级导电层。存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠和所述漏极选择层级导电层。包含相应一对笔直侧壁的电介质分隔物结构，和包含相应一对侧壁的漏极选择层级隔离结构将所述漏极选择层级导电层划分成多个条带，所述隔离结构的相应一对侧壁包含相应一组凹入竖直侧壁分段。所述漏极选择层级导电层和所述漏极选择层级隔离结构是通过用导电材料替换漏极选择层级牺牲材料层，和通过用电介质材料部分替换漏极选择层级牺牲线型结构而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111512441A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201980006490.7
申请日：2019-05-22
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L29/792
Abstract: 一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的绝缘层与导电层的交替堆叠，位于所述交替堆叠上方的漏极选择层级栅极电极，延伸穿过所述交替堆叠和所述漏极选择层级栅极电极中的相应一个的存储器开口，以及位于所述存储器开口中的存储器开口填充结构。所述存储器开口填充结构可具有阶梯式轮廓，以在所述漏极选择层级栅极电极的层级处提供比所述交替堆叠内小的横向尺寸。所述漏极选择层级栅极电极中的每一个包含具有两组竖直侧壁分段的平坦部分，和从所述平坦部分竖直地向上突出且横向环绕所述存储器开口填充结构中的相应一个的一组圆柱形部分。所述存储器开口填充结构可成间距地形成为二维阵列。
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公开(公告)号：CN111433912B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980005958.0
申请日：2019-02-14
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Abstract: 一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的源极层级材料层，所述源极层级材料层含有源极触点层；位于衬底层级材料层上方的绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述交替堆叠，使得所述存储器堆叠结构中的每一个包含存储器膜和具有接触所述源极触点层的相应水平表面的底部表面的竖直半导体通道；以及电介质柱结构，其嵌入于所述衬底层级材料层内且位于所述存储器堆叠结构之间。
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公开(公告)号：CN111512441B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201980006490.7
申请日：2019-05-22
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H10B43/27 , H10B43/50 , H10B43/35 , H01L29/792
Abstract: 一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的绝缘层与导电层的交替堆叠，位于所述交替堆叠上方的漏极选择层级栅极电极，延伸穿过所述交替堆叠和所述漏极选择层级栅极电极中的相应一个的存储器开口，以及位于所述存储器开口中的存储器开口填充结构。所述存储器开口填充结构可具有阶梯式轮廓，以在所述漏极选择层级栅极电极的层级处提供比所述交替堆叠内小的横向尺寸。所述漏极选择层级栅极电极中的每一个包含具有两组竖直侧壁分段的平坦部分，和从所述平坦部分竖直地向上突出且横向环绕所述存储器开口填充结构中的相应一个的一组圆柱形部分。所述存储器开口填充结构可成间距地形成为二维阵列。
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公开(公告)号：CN111433912A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201980005958.0
申请日：2019-02-14
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/11524
Abstract: 一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的源极层级材料层，所述源极层级材料层含有源极触点层；位于衬底层级材料层上方的绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述交替堆叠，使得所述存储器堆叠结构中的每一个包含存储器膜和具有接触所述源极触点层的相应水平表面的底部表面的竖直半导体通道；以及电介质柱结构，其嵌入于所述衬底层级材料层内且位于所述存储器堆叠结构之间。
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公开(公告)号：CN111373534A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201980005833.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/11529 , H01L27/11568
Abstract: 一种三维存储器装置包含位于衬底上方的绝缘层与字线层级导电层的交替堆叠，和位于所述交替堆叠上方的漏极选择层级导电层。存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠和所述漏极选择层级导电层。包含相应一对笔直侧壁的电介质分隔物结构，和包含相应一对侧壁的漏极选择层级隔离结构将所述漏极选择层级导电层划分成多个条带，所述隔离结构的相应一对侧壁包含相应一组凹入竖直侧壁分段。所述漏极选择层级导电层和所述漏极选择层级隔离结构是通过用导电材料替换漏极选择层级牺牲材料层，和通过用电介质材料部分替换漏极选择层级牺牲线型结构而形成。
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