公开(公告)号：CN110088905B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201780062369.7

申请日：2017-09-07

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.余 ,  K.北村 ,  张彤 ,  C.葛 ,  张艳丽 ,  S.清水 ,  Y.笠木 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  K.山口 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  J.凯 ,  K.松本 ,  Y.正森

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/40

Abstract: 掩埋源极层的源极带结构和存储器结构内的半导体沟道之间的接触面积可以通过横向扩展其中形成存储器堆叠结构的源极级体积进行增加。在一个实施方案中，可以在形成绝缘层和牺牲材料层的垂直交替堆叠体之前在源极级存储器开口中形成牺牲半导体基座。存储器开口可以包括通过移除牺牲半导体基座形成的凸出部分。存储器堆叠结构可以形成为在凸出部分中具有较大的侧壁表面积，以提供与源极带结构较大的接触面积。或者，在形成存储器开口期间或之后，可以相对于上部部分选择性地扩展存储器开口的底部部分，以提供凸出部分并增加与源极带结构的接触面积。

公开(公告)号：CN110088905A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780062369.7

申请日：2017-09-07

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.余 ,  K.北村 ,  张彤 ,  C.葛 ,  张艳丽 ,  S.清水 ,  Y.笠木 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  K.山口 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  J.凯 ,  K.松本 ,  Y.正森

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 掩埋源极层的源极带结构和存储器结构内的半导体沟道之间的接触面积可以通过横向扩展其中形成存储器堆叠结构的源极级体积进行增加。在一个实施方案中，可以在形成绝缘层和牺牲材料层的垂直交替堆叠体之前在源极级存储器开口中形成牺牲半导体基座。存储器开口可以包括通过移除牺牲半导体基座形成的凸出部分。存储器堆叠结构可以形成为在凸出部分中具有较大的侧壁表面积，以提供与源极带结构较大的接触面积。或者，在形成存储器开口期间或之后，可以相对于上部部分选择性地扩展存储器开口的底部部分，以提供凸出部分并增加与源极带结构的接触面积。