公开(公告)号：CN104733469B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510175188.8

申请日：2011-06-30

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.奥斯梅尔 ,  V.普拉亚斯 ,  H.简 ,  G.玛塔米斯 ,  李耀升 ,  J.凯 ,  张渊 ,  G.撒玛奇萨

IPC: H01L27/11582 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种单片三维NAND串以及制造方法。所述串的通道(1)可以是垂直的或V形。该通道的芯填充有绝缘体。控制栅极(3)相对于中介电介质层凹入。电荷存储区域(9)以及阻挡块(7)形成于该凹入部中。屏蔽翼(12)可在控制栅极之后形成。