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公开(公告)号：CN101195905A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710048386.3
申请日：2007-01-25
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了磁控溅射－激光加热复合渗镀工艺及设备，利用磁控溅射和激光加热装置在导电工件表面形成包括金属元素和非金属元素在内的扩散层、沉积层或扩散层+沉积层的单一或复合渗镀层。本发明的优点在于：利用磁控溅射靶，可以提供充足的欲渗合金元素；利用激光加热，可以在很短时间将被渗材料加热至高温使渗入速度大大提高；渗金属的真空度，比一般的合金化方法提高至少1个数量级，可大大提高被渗工件的表面质量；渗镀可以连续进行，可实现大面积大批量生产。
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公开(公告)号：CN101195913B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710048387.8
申请日：2007-01-25
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了等离子复合处理低温形成铬碳氮表面合金层工艺。其特征是在低于700℃的温度条件下，首先进行离子氮碳共渗或离子氮化工艺，然后进行等离子渗铬工艺分步复合或同时进行氮、碳、铬共渗，在被渗工件表面得到碳氮铬合金层。本发明的优点在于：将渗铬温度从高于铁素体向奥氏体转变的相变点降到其温度之下，节约能源、资源、简化工艺、方便操作；形成更合理，成分可控的含有铬合金元素与非金属元素碳、氮的表面强化层；复合处理工艺过程全部采用当代先进的等离子体辉光放电技术，设备紧凑，工艺适用，操作方便，有利于技木的推广和应用。
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公开(公告)号：CN101195913A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710048387.8
申请日：2007-01-25
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了等离子复合处理低温形成铬碳氮表面合金层工艺。其特征是在低于700℃的温度条件下，首先进行离子氮碳共渗或离子氮化工艺，然后进行等离子渗铬工艺分步复合或同时进行氮、碳、铬共渗，在被渗工件表面得到碳氮铬合金层。本发明的优点在于：将渗铬温度从高于铁素体向奥氏体转变的相变点降到其温度之下，节约能源、资源、简化工艺、方便操作；形成更合理，成分可控的含有铬合金元素与非金属元素碳、氮的表面强化层；复合处理工艺过程全部采用当代先进的等离子体辉光放电技术，设备紧凑，工艺适用，操作方便，有利于技术的推广和应用。
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公开(公告)号：CN100537835C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710048386.3
申请日：2007-01-25
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了磁控溅射-激光加热复合渗镀工艺及设备，利用磁控溅射和激光加热装置在导电工件表面形成包括金属元素和非金属元素在内的扩散层、沉积层或扩散层+沉积层的单一或复合渗镀层。本发明的优点在于：利用磁控溅射靶，可以提供充足的欲渗合金元素；利用激光加热，可以在很短时间将被渗材料加热至高温使渗入速度大大提高；渗金属的真空度，比一般的合金化方法提高至少1个数量级，可大大提高被渗工件的表面质量；渗镀可以连续进行，可实现大面积大批量生产。
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