发明授权
CN101195913B 等离子复合处理低温形成铬碳氮表面合金层工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题: 等离子复合处理低温形成铬碳氮表面合金层工艺
- 专利标题(英): Technique for forming chromium carbon nitrogen surface alloying layer by plasma composite process low-temperature
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申请号: CN200710048387.8申请日: 2007-01-25
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公开(公告)号: CN101195913B公开(公告)日: 2010-12-08
- 发明人: 高原 , 郑英 , 徐晋勇 , 程东 , 唐光辉 , 高清
- 申请人: 桂林电子科技大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号桂林电子科技大学
- 专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号桂林电子科技大学
- 代理机构: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
- 代理商 罗玉荣
- 主分类号: C23C28/00
- IPC分类号: C23C28/00 ; C23C8/30 ; C23C8/36 ; C23C10/10 ; C23F17/00 ; C21D1/00
摘要:
本发明公开了等离子复合处理低温形成铬碳氮表面合金层工艺。其特征是在低于700℃的温度条件下,首先进行离子氮碳共渗或离子氮化工艺,然后进行等离子渗铬工艺分步复合或同时进行氮、碳、铬共渗,在被渗工件表面得到碳氮铬合金层。本发明的优点在于:将渗铬温度从高于铁素体向奥氏体转变的相变点降到其温度之下,节约能源、资源、简化工艺、方便操作;形成更合理,成分可控的含有铬合金元素与非金属元素碳、氮的表面强化层;复合处理工艺过程全部采用当代先进的等离子体辉光放电技术,设备紧凑,工艺适用,操作方便,有利于技木的推广和应用。
公开/授权文献
- CN101195913A 等离子复合处理低温形成铬碳氮表面合金层工艺 公开/授权日:2008-06-11
IPC分类: