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公开(公告)号：CN109449545B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201811556966.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种可实现吸波模式和极化转换模式切换的太赫兹变换器，由2层石墨烯层、1层金属极化转换超表面层、1层金属反射层和3层介质层组成；其中每层石墨烯层均由电极层以及附着于该电极层上表面的石墨烯超表面层构成；在其中一层石墨烯层的石墨烯超表面层和电极层之间施加偏置电压V1来调节该石墨烯层的费米能级EF1，同时，在另一层石墨烯层的石墨烯超表面层和电极层之间施加偏置电压V2来调节该石墨烯层的费米能级EF2；当费米能级EF1和/或费米能级EF2的其中一个超过切换阈值时，太赫兹
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公开(公告)号：CN106785408B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201710059993.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种宽频带低剖面全向圆极化天线，介质基板包括上层介质基板和下层介质基板，上层介质基板和下层介质基板平行设置，上层介质基板位于下层介质基板的正上方；金属地板敷贴于下层介质基板上；零阶谐振器、寄生辐射器和辐射型馈电网络敷贴于上层介质基板上；辐射型馈电网络位于上层介质基板的中心处；零阶谐振器的零阶谐振贴片环设在辐射型馈电网络的外侧，零阶谐振器的每个零阶谐振销钉的一端与1个零阶谐振贴片连接，另一端与金属地板连接；寄生辐射贴片环设零阶谐振贴片的外侧，寄生辐射贴片的每个寄生辐射销钉的一端与1个寄生辐射贴片连接，另一端悬置；本发明能够增大天线阻抗和方向图带宽，并保持良好的轴比特性。
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公开(公告)号：CN109449545A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811556966.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种可实现吸波模式和极化转换模式切换的太赫兹变换器，由2层石墨烯层、1层金属极化转换超表面层、1层金属反射层和3层介质层组成；其中每层石墨烯层均由电极层以及附着于该电极层上表面的石墨烯超表面层构成；在其中一层石墨烯层的石墨烯超表面层和电极层之间施加偏置电压V1来调节该石墨烯层的费米能级EF1，同时，在另一层石墨烯层的石墨烯超表面层和电极层之间施加偏置电压V2来调节该石墨烯层的费米能级EF2；当费米能级EF1和/或费米能级EF2的其中一个超过切换阈值时，太赫兹变换器工作在吸波模式；否则，太赫兹变换器工作在极化转换模式。本能够解决单一器件不能同时实现极化转换和功率吸收的问题。
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公开(公告)号：CN108899648A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810723841.3
申请日：2018-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于脑活动探测的宽带高增益天线，由不规则的蝶形金属贴片、金属寄生条以及互补环和金属反射腔体组成。本发明采用蝶形天线作为天线优化的基础结构，天线正面通过在蝶形贴片上增加寄生条构成不规则蝶形辐射贴片，并使用共面波导线馈电，共面波导结构位于两个不规则蝶形臂的中间；以及在背面添加互补环结构，通过在互补结构的三角形金属区域进行开槽增加互补环电长度以达到小型化的目的。同时在天线下方放置渐变三层反射腔体，该腔体通渐变的矩形阶梯结构构成。本发明能够在实现天线宽带高增益的同时还具有造价低、结构简单且易与大脑共形的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108899648B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201810723841.3
申请日：2018-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于脑活动探测的宽带高增益天线，由不规则的蝶形金属贴片、金属寄生条以及互补环和金属反射腔体组成。本发明采用蝶形天线作为天线优化的基础结构，天线正面通过在蝶形贴片上增加寄生条构成不规则蝶形辐射贴片，并使用共面波导线馈电，共面波导结构位于两个不规则蝶形臂的中间；以及在背面添加互补环结构，通过在互补结构的三角形金属区域进行开槽增加互补环电长度以达到小型化的目的。同时在天线下方放置渐变三层反射腔体，该腔体通渐变的矩形阶梯结构构成。本发明能够在实现天线宽带高增益的同时还具有造价低、结构简单且易与大脑共形的特点。
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公开(公告)号：CN106785408A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710059993.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种宽频带低剖面全向圆极化天线，介质基板包括上层介质基板和下层介质基板，上层介质基板和下层介质基板平行设置，上层介质基板位于下层介质基板的正上方；金属地板敷贴于下层介质基板上；零阶谐振器、寄生辐射器和辐射型馈电网络敷贴于上层介质基板上；辐射型馈电网络位于上层介质基板的中心处；零阶谐振器的零阶谐振贴片环设在辐射型馈电网络的外侧，零阶谐振器的每个零阶谐振销钉的一端与1个零阶谐振贴片连接，另一端与金属地板连接；寄生辐射贴片环设零阶谐振贴片的外侧，寄生辐射贴片的每个寄生辐射销钉的一端与1个寄生辐射贴片连接，另一端悬置；本发明能够增大天线阻抗和方向图带宽，并保持良好的轴比特性。
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公开(公告)号：CN206480760U
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201720101119.7
申请日：2017-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种宽频带低剖面全向圆极化天线，介质基板包括上层介质基板和下层介质基板，上层介质基板和下层介质基板平行设置，上层介质基板位于下层介质基板的正上方；金属地板敷贴于下层介质基板上；零阶谐振器、寄生辐射器和辐射型馈电网络敷贴于上层介质基板上；辐射型馈电网络位于上层介质基板的中心处；零阶谐振器的零阶谐振贴片环设在辐射型馈电网络的外侧，零阶谐振器的每个零阶谐振销钉的一端与1个零阶谐振贴片连接，另一端与金属地板连接；寄生辐射贴片环设零阶谐振贴片的外侧，寄生辐射贴片的每个寄生辐射销钉的一端与1个寄生辐射贴片连接，另一端悬置；本实用新型能够增大天线阻抗和方向图带宽，并保持良好的轴比特性。
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公开(公告)号：CN208637588U
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201821052714.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种应用于脑活动探测的宽带高增益天线，由不规则的蝶形金属贴片、金属寄生条以及互补环和金属反射腔体组成。本实用新型采用蝶形天线作为天线优化的基础结构，天线正面通过在蝶形贴片上增加寄生条构成不规则蝶形辐射贴片，并使用共面波导线馈电，共面波导结构位于两个不规则蝶形臂的中间；以及在背面添加互补环结构，通过在互补结构的三角形金属区域进行开槽增加互补环电长度以达到小型化的目的。同时在天线下方放置渐变三层反射腔体，该腔体通渐变的矩形阶梯结构构成。本实用新型能够在实现天线宽带高增益的同时还具有造价低、结构简单且易与大脑共形的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209071577U
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201822136077.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种可实现吸波模式和极化转换模式切换的太赫兹变换器，由2层石墨烯层、1层金属极化转换超表面层、1层金属反射层和3层介质层组成；其中每层石墨烯层均由电极层以及附着于该电极层上表面的石墨烯超表面层构成；在其中一层石墨烯层的石墨烯超表面层和电极层之间施加偏置电压V1来调节该石墨烯层的费米能级EF1，同时，在另一层石墨烯层的石墨烯超表面层和电极层之间施加偏置电压V2来调节该石墨烯层的费米能级EF2；当费米能级EF1和/或费米能级EF2的其中一个超过切换阈值时，太赫兹变换器工作在吸波模式；否则，太赫兹变换器工作在极化转换模式。本能够解决单一器件不能同时实现极化转换和功率吸收的问题。
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