一种降低高镍正极材料杂锂含量的方法

    公开(公告)号:CN112259727B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202011057350.3

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明涉及一种降低高镍正极材料杂锂含量的方法,包括以下步骤:将高镍三元复合前驱体A和添加剂A、较低配比的锂盐混合均匀后进行过烧,随后加入添加剂B混合均匀后进行烧结,得到高镍正极材料A;将高镍三元复合前驱体B和添加剂A、较低配比的锂盐混合均匀后进行过烧,随后加入添加剂B混合均匀后进行烧结,得到高镍正极材料B;将高镍正极材料A和高镍正极材料B混合均匀,得到高镍正极材料。本发明在不改变整体工艺的前提下,通过提高一烧的温度及降低Li/Me摩尔比来降低材料表面杂锂含量;同时,本发明通过掺混小颗粒高镍正极三元材料,改善上述由于过烧而引起的电子及锂离子扩散速率下降的问题。

    一种镍钴锰酸锂高镍单晶正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114447297A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111653919.7

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种镍钴锰酸锂高镍单晶正极材料及其制备方法。该制备方法,包括以下步骤:将镍钴锰氢氧化物与锂源、氧化锆、氧化钨、碳酸钠混合球磨,随后进行一次烧结,经粉碎后得到镍钴锰酸锂高镍单晶正极材料中间体;其中,一次烧结温度高出正常烧结温度50~150℃;将镍钴锰酸锂高镍单晶正极材料中间体与包覆剂混合均匀,随后进行二次烧结,得到镍钴锰酸锂高镍单晶正极材料。本发明通过在一次烧结过程中引入氧化钨和碳酸钠,不仅能够增强材料的导电性,还可以改变颗粒形貌,使得一次粒子得以细化,利用氧化钨和碳酸钠结合的这一特点,再结合氧化锆掺杂,在较高的一次烧结温度下,得到高容量、高分散性且循环性能优异的高镍单晶正极材料。

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