一种降低高镍正极材料杂锂含量的方法

    公开(公告)号:CN112259727A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011057350.3

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明涉及一种降低高镍正极材料杂锂含量的方法,包括以下步骤:将高镍三元复合前驱体A和添加剂A、较低配比的锂盐混合均匀后进行过烧,随后加入添加剂B混合均匀后进行烧结,得到高镍正极材料A;将高镍三元复合前驱体B和添加剂A、较低配比的锂盐混合均匀后进行过烧,随后加入添加剂B混合均匀后进行烧结,得到高镍正极材料B;将高镍正极材料A和高镍正极材料B混合均匀,得到高镍正极材料。本发明在不改变整体工艺的前提下,通过提高一烧的温度及降低Li/Me摩尔比来降低材料表面杂锂含量;同时,本发明通过掺混小颗粒高镍正极三元材料,改善上述由于过烧而引起的电子及锂离子扩散速率下降的问题。

    一种降低高镍正极材料杂锂含量的方法

    公开(公告)号:CN112259727B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202011057350.3

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明涉及一种降低高镍正极材料杂锂含量的方法,包括以下步骤:将高镍三元复合前驱体A和添加剂A、较低配比的锂盐混合均匀后进行过烧,随后加入添加剂B混合均匀后进行烧结,得到高镍正极材料A;将高镍三元复合前驱体B和添加剂A、较低配比的锂盐混合均匀后进行过烧,随后加入添加剂B混合均匀后进行烧结,得到高镍正极材料B;将高镍正极材料A和高镍正极材料B混合均匀,得到高镍正极材料。本发明在不改变整体工艺的前提下,通过提高一烧的温度及降低Li/Me摩尔比来降低材料表面杂锂含量;同时,本发明通过掺混小颗粒高镍正极三元材料,改善上述由于过烧而引起的电子及锂离子扩散速率下降的问题。

    一种多孔正极材料前驱体、其制备方法及三元正极材料

    公开(公告)号:CN112723426A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011636978.9

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明公开一种多孔正极材料前驱体、其制备方法及三元正极材料。该多孔正极材料前驱体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:向反应底液中并流通入金属盐溶液、络合剂和碱液,控制pH至12~13,在50~80℃下保温反应4~6h;随后降低pH至10~11,开始通入聚羧酸盐分散剂溶液,控制反应温度为50~80℃,保温反应24~36h;反应结束后,停止进料,40~60℃下陈化20~30h,经固液分离、水洗和干燥得到多孔正极材料前驱体。本发明通过在前驱体的制备过程的不同阶段选择不同的表面活性剂并控制pH,能够使前躯体的核层结构更致密、壳层结构更疏松,有利于在提高比表面积的同时,避免振实密度的显著下降,提高材料的倍率性能和结构稳定性。

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