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公开(公告)号：CN112927822A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911234873.8
申请日：2019-12-05
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明属于聚变反应堆技术，具体涉及一种用于聚变反应堆的具有阻氚功能的第一壁及制备方法。第一壁包括面向等离子体材料、中间层和聚变反应堆结构材料，等离子体材料为化学气相沉积的钨涂层，聚变反应堆结构材料为低活化钢，中间层为氮化钛或类似的阻氚涂层。制备时，首先在基材上制备阻氚涂层，然后在阻氚涂层上制备钨涂层。用厚钨涂层取代钨块，满足第一壁工况要求和使用寿命要求且提高了第一壁结构的重量和经济性。显著降低等离子体运行过程中的感应电流及相应的电磁载荷，既能够满足聚变反应堆中第一壁的苛刻工况要求，又减小了第一壁部件中氚滞留量，从而提高了聚变反应堆氚循环效率，降低了氚增殖和氚供给的需求。
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公开(公告)号：CN109467456A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710802877.6
申请日：2017-09-08
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种利用金属浆料法对碳基材料表面改性的方法，目的在于解决碳基材料与Cu连接时，存在难润湿，以及两者膨胀系数、弹性模量差别大，连接困难的问题。按照下述步骤进行：金属粉末配置(称重、球磨、干燥)、浆料制备、碳基材料表面丝网印刷和真空烧结。其中金属粉末质量纯度为99.99％；真空烧结的温度和时间分别为1200-1300℃，和30min-2h。本发明能够在碳基材料基体上生成结合强度优良的碳化铬涂层，能够有效解决碳基材料与铜之间的润湿性，同时该方法的生产成本低，适宜大规模制造。
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公开(公告)号：CN109402541A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710695949.1
申请日：2017-08-15
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明属于金属材料技术领域，特别涉及一种颗粒弥散强化钨块体材料制备方法。通过高温烧结方法制备颗粒弥散强化钨生坯；将生坯放入氢气炉中预热，加热温度1500-1600℃，时间1-2h；然后将预热的颗粒弥散强化钨生坯放入高速锻锤上进行大变形量的高能率成形加工，锻打压力为30-40MPa；锻打完成后，为了消除残余应力，将钨块放入退火炉中，退火温度为1000℃。本发明能有效的控制组织织构，使得材料塑性和加工性能显著提高，且锻造过程中锭坯不易开裂，达到良好开坯效果。本发明能制备得到完全致密的钨块体材料，并且材料具有良好的力学性能，在温度低于100℃具有塑性，高温下也具有较高的高温强度和塑性；同时该方法制备的材料成本低，适宜大规模制造。
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公开(公告)号：CN113969363A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010719116.6
申请日：2020-07-23
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明属于钨合金的制备方法，具体涉及一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法。一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法，包括下述步骤：步骤一：混合烧结；将金属钨与弥散颗粒混合，并烧结为柱状烧结生坯；步骤二：锻造加工；对烧结生坯锻造加工，直到尺寸满足要求；步骤三：退火；对锻造加工完成的产品进行退火。本发明的显著效果是：本发明能制备得到完全致密的钨块体材料，在制备过程中可以有效地控制钨基材料的微观组织，使得钨棒材的低温韧性和再结晶温度大幅度提高。并且该方法制备的材料成本低，适宜制造大尺寸和工程化的钨块体材料。
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公开(公告)号：CN112408952B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109402541B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201710695949.1
申请日：2017-08-15
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明属于金属材料技术领域，特别涉及一种颗粒弥散强化钨块体材料制备方法。通过高温烧结方法制备颗粒弥散强化钨生坯；将生坯放入氢气炉中预热，加热温度1500‑1600℃，时间1‑2h；然后将预热的颗粒弥散强化钨生坯放入高速锻锤上进行大变形量的高能率成形加工，锻打压力为30‑40MPa；锻打完成后，为了消除残余应力，将钨块放入退火炉中，退火温度为1000℃。本发明能有效的控制组织织构，使得材料塑性和加工性能显著提高，且锻造过程中锭坯不易开裂，达到良好开坯效果。本发明能制备得到完全致密的钨块体材料，并且材料具有良好的力学性能，在温度低于100℃具有塑性，高温下也具有较高的高温强度和塑性；同时该方法制备的材料成本低，适宜大规模制造。
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公开(公告)号：CN112408952A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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公开(公告)号：CN211742660U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201922163894.7
申请日：2019-12-05
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
IPC: G21B1/13
Abstract: 本实用新型属于聚变反应堆技术，具体涉及一种用于聚变反应堆的具有阻氚功能的第一壁。包括沉积层、中间层和基底，沉积层为钨涂层，直接接触等离子体，中间层为阻氚涂层，位于沉积层和基底之间。用钨涂层取代钨块，满足第一壁工况要求和使用寿命要求且提高了第一壁结构的重量和经济性。显著降低等离子体运行过程中的感应电流及相应的电磁载荷，既能够满足聚变反应堆中第一壁的苛刻工况要求，又减小了第一壁部件中氚滞留量，从而提高了聚变反应堆氚循环效率，降低了氚增殖和氚供给的需求。
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公开(公告)号：CN113913637A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010650187.5
申请日：2020-07-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C22C1/05 , C22C1/10 , C22C27/04 , C22C32/00 , B22F9/08 , B22F3/10 , B22F3/17 , B22F3/24 , B22F9/04
Abstract: 本发明属于制备方法，具体涉及一种具有室温韧性块体钨材料的制备方法。一种具有室温韧性块体钨材料的制备方法，包括：步骤1：制备粉末及烧结；制备钨材料粉末，并将粉末烧结到指定尺寸，形成颗粒弥散强化钨合金棒；步骤2：加热；将烧结后产物加热并锻打加工；步骤3：退火；对锻打完成的产品进行退火。本发明的显著效果是：本发明能有效的降低钨材料中的氧含量，同时使钨材料塑性和强度得到显著提高。通过该工艺制备得到的钨块体材料具备明显的纤维织构，可以使钨材料的韧‑脆转变温度降低到室温，即在室温下就能发生明显的塑性变形。该工艺路线是在传统钨材料的制备方法上通过改良提到，适合进行规模化制备。
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公开(公告)号：CN103774141A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310488060.8
申请日：2013-10-17
Applicant: 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 , 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种面对等离子体的钨涂层部件的制备方法，包括如下步骤：（1）将铬锆铜合金基材根据面对等离子体部件的尺寸加工成所需的几何形状；（2）将加工好的铬锆铜合金基材的表面清洗干净，去除表面氧化层，并保持基材的温度在480℃以下，采用物理气相沉积法在铬锆铜合金基材表面形成5-100μm厚的纯度高于99.9wt%的铜中间适配层；（3）以六氟化钨气体为原料，以氢气为还原气体，在280-480℃的基材温度条件下，在铜中间适配层上进行化学气相沉积，以形成0.02-2mm厚度的钨涂层，即制得所述面对等离子体的钨涂层部件。本发明的方法相比热等静压扩散焊接、热压扩散焊接、叠层轧制、爆破复合等，工艺过程简单、成本低、易于实现，同时不会污染环境。
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