公开(公告)号：CN111106073A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201811257130.8

申请日：2018-10-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 张鸿鑫 ,  刘国友 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  唐智慧 ,  冯宇 ,  丁杰

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件的低应力薄膜结构，由下至上依次包括：基底、第一导电层、第二导电层和金属层，在第一导电层和第二导电层之间设有绝缘层，所述第二导电层穿过绝缘层与所述第一导电层部分接触。本发明设计的膜层结构，既可以保护芯片在封装过程中不受损伤，同时可以提升芯片封装的成品率，且各膜层之间应力较小，工艺实现简单，成本较低。此外，该膜层结构也有利于提高器件的可靠性，使器件在运行过程中，特别是在高温、高压、高震动等恶劣环境中得以正常工作。

公开(公告)号：CN111105990A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201811271305.0

申请日：2018-10-29

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  罗海辉 ,  张鸿鑫 ,  谭灿健 ,  唐智慧 ,  冯宇 ,  丁杰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构，包括依次设置于上层金属层和衬底之间的铜金属层、阻挡层和粘附层，所述阻挡层用于防止铜向衬底扩散，所述粘附层用于将阻挡层粘附在衬底上。本发明的另一方面还公开了一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构的制备方法。本发明中的薄膜结构既能提高铜与阻挡层以及阻挡层与衬底之间的粘附性，防止器件表面金属层脱落。