-
公开(公告)号：CN103733398B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201180072484.5
申请日：2011-07-29
Applicant: 株式会社UACJ , 株式会社UACJ制箔
CPC classification number: H01G11/68 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , H01M4/662 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的目的在于提供具备在具有高的导电率的同时，活性物质涂敷后的干燥工序后的强度也高的电极集电体用铝合金箔的集电体。根据本发明，提供一种集电体，具备导电性基材和在该导电性基材的一面或两面形成的树脂层，其中，所述导电性基材含有Fe：0.03～1.0mass％(以下将“mass％”仅记为“％”。)、Si：0.01～0.3％、Cu：0.0001～0.2％，剩余部分由Al和不可避免的杂质组成，最终冷轧后的铝合金箔的抗拉强度为180MPa以上，0.2％屈服强度为160MPa以上，导电率为58％IACS以上，且对所述最终冷轧后的铝合金箔在120℃进行24小时、在140℃进行3小时、在160℃进行15分钟的任意热处理的情况下，铝合金箔的热处理后的抗拉强度也为170MPa以上、0.2％屈服强度为150MPa以上，所述树脂层包含导电材料和由丙烯酸类树脂、硝化棉类树脂、或壳聚糖类树脂组成的树脂，在所述树脂层表面的23℃的恒温室内通过θ／2法测定的水接触角，在所述树脂为丙烯酸类树脂的情况下为30度以上105度以下，在所述树脂为硝化棉类树脂的情况下为100度以上110度以下，在所述树脂为壳聚糖类树脂的情况下为20度以上50度以下。
-
公开(公告)号：CN103270182B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180055886.4
申请日：2011-12-12
Applicant: 株式会社UACJ , 株式会社UACJ制箔
CPC classification number: H01M4/0471 , C22C21/00 , C22F1/04 , H01M4/662 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种具备较高导电率的同时，活性物质涂敷后的干燥工序之后也具有高强度的电极集电体用铝合金箔。本发明的电极集电体用铝合金箔含有Fe:0.1～1.0mass%(以下将mass%只记载为%)、Si:0.01～0.5％、Cu:0.01～0.2％，剩余部分由Al和不可避免的杂质组成，最终冷轧后的抗拉强度为220MPa以上，0.2％耐力为180MPa以上，导电率为58％IACS以上，在120℃温度下进行24小时、140℃温度下进行3小时、160℃温度下进行15分钟之中的任一条件下对上述最终冷轧后的铝合金箔进行热处理的情况下，热处理后的抗拉强度仍为190MPa以上，0.2％耐力仍为160MPa以上。
-
公开(公告)号：CN103733398A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201180072484.5
申请日：2011-07-29
Applicant: 株式会社UACJ , 株式会社UACJ制箔
CPC classification number: H01G11/68 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , H01M4/662 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的目的在于提供具备在具有高的导电率的同时，活性物质涂敷后的干燥工序后的强度也高的电极集电体用铝合金箔的集电体。根据本发明，提供一种集电体，具备导电性基材和在该导电性基材的一面或两面形成的树脂层，其中，所述导电性基材含有Fe：0.03～1.0mass％(以下将“mass％”仅记为“％”。)、Si：0.01～0.3％、Cu：0.0001～0.2％，剩余部分由Al和不可避免的杂质组成，最终冷轧后的铝合金箔的抗拉强度为180MPa以上，0.2％屈服强度为160MPa以上，导电率为58％IACS以上，且对所述最终冷轧后的铝合金箔在120℃进行24小时、在140℃进行3小时、在160℃进行15分钟的任意热处理的情况下，铝合金箔的热处理后的抗拉强度也为170MPa以上、0.2％屈服强度为150MPa以上，所述树脂层包含导电材料和由丙烯酸类树脂、硝化棉类树脂、或壳聚糖类树脂组成的树脂，在所述树脂层表面的23℃的恒温室内通过θ／2法测定的水接触角，在所述树脂为丙烯酸类树脂的情况下为30度以上105度以下，在所述树脂为硝化棉类树脂的情况下为100度以上110度以下，在所述树脂为壳聚糖类树脂的情况下为20度以上50度以下。
-
公开(公告)号：CN106415903B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580025706.6
申请日：2015-06-03
Applicant: 株式会社UACJ
IPC: H01M4/70 , H01M4/13 , H01M4/64 , H01M4/66 , B21D33/00 , B30B3/00 , C25D7/00 , H01G11/70 , H01G11/86
Abstract: 本发明涉及集电体用金属箔、集电体及集电体用金属箔的制造方法，集电体用金属箔(1)的至少一个表面被粗糙面化。在经粗糙面化的表面存在多个凹状部(4)，所述凹状部(4)具有底面部(2)和包围底面部(2)且相较于底面部(2)隆起的边缘部(3)。凹状部(4)的弗雷特直径的平均Lave为0.5μm以上50μm以下。集电体用金属箔(1)适用作锂离子二次电池、钠二次电池、电双层电容器或锂离子电容器用的电极集电体。
-
公开(公告)号：CN110741479A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880037796.4
申请日：2018-06-08
Applicant: 株式会社UACJ
Inventor： 芦泽公一
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法。半导体层包括将通过使氧化铝膜(Al2O3)含有过量的铝(Al)而形成施主能级的n型半导体(Al2O3(n型))、与通过使氧化铝膜(Al2O3)含有过量的氧(O)而形成受主能级的p型半导体(Al2O3(p型))接合而成的pn结。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN106415903A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580025706.6
申请日：2015-06-03
Applicant: 株式会社UACJ
IPC: H01M4/70 , H01M4/13 , H01M4/64 , H01M4/66 , B21D33/00 , B30B3/00 , C25D7/00 , H01G11/70 , H01G11/86
Abstract: 本发明涉及集电体用金属箔、集电体及集电体用金属箔的制造方法，集电体用金属箔(1)的至少一个表面被粗糙面化。在经粗糙面化的表面存在多个凹状部(4)，所述凹状部(4)具有底面部边缘部(3)。凹状部(4)的弗雷特直径的平均Lave为0.5μm以上50μm以下。集电体用金属箔(1)适用作锂离子二次电池、钠二次电池、电双层电容器或锂离子电容器用的电极集电体。(2)和包围底面部(2)且相较于底面部(2)隆起的
-
公开(公告)号：CN112889137B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201980057390.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 株式会社UACJ
IPC: H10D8/01 , H01L21/268 , H01L21/363 , H01L21/479 , H10D8/00 , H10D8/50 , H10D62/80
Abstract: 一种利用半导体制造装置(100)的半导体制造方法，包含：配置步骤，在包含氧化铝的基材(1)的一端配置发生氧化反应的阳极(2)，且在基材(1)的另一端配置发生还原反应的阴极(3)；加热步骤，在使阳极(2)与基材(1)的一端接触，且使阴极(3)与基材(1)的另一端接触的状态下，将基材(1)进行加热而使其熔融；熔融盐电解步骤，在基材(1)的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在阳极(2)与阴极(3)之间流通电流来进行熔融盐电解；以及半导体形成步骤，在熔融盐电解步骤之后将基材(1)冷却，形成p型氧化铝半导体层及n型氧化铝半导体层。
-
公开(公告)号：CN110741479B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880037796.4
申请日：2018-06-08
Applicant: 株式会社UACJ
Inventor： 芦泽公一
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法。半导体层包括将通过使氧化铝膜(Al2O3)含有过量的铝(Al)而形成施主能级的n型半导体(Al2O3(n型))、与通过使氧化铝膜(Al2O3)含有过量的氧(O)而形成受主能级的p型半导体(Al2O3(p型))接合而成的pn结。
-
公开(公告)号：CN115148999A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210511471.3
申请日：2017-10-27
Applicant: 株式会社UACJ
Inventor： 芦泽公一
IPC: H01M4/66 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M10/0525 , H01M50/503 , C23C8/10
Abstract: 本发明改善铝构件的导电性。铝构件的表面皮膜包含氧化铝以及氢氧化铝中的至少一方，在表面皮膜中，形成于水凝聚的部分的半导体部在铝构件的一个表面的每1.0cm2面积上存在100000处以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.032 seconds)
