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公开(公告)号：CN104619462B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201380047554.0
申请日：2013-09-11
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种含氧化铈废磨料的再生方法，可有效地去除含氧化铈废磨料中所包含的杂质，实现包括清洗工艺在内的再生工艺的效率化，而且能够抑制清洗工艺中含氧化铈磨料的再凝聚。所述含氧化铈废磨料的再生方法，包括以下步骤：将含氧化铈废浆料与包含氟类化合物的溶剂溶液进行混合，以便有选择地溶解掉包含在所述废浆料中的含氧化硅杂质；使所述含氧化铈废浆料通过交叉流过滤系统进行清洗，以便有选择地去除所述含氧化硅杂质；以及对所述清洗过的含氧化铈废浆料进行干燥及烧结。
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公开(公告)号：CN101959983A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107520.X
申请日：2009-03-03
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09G1/02 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/76229
Abstract: 本发明涉及一种当用于例如对氧化硅层进行抛光或使其平坦化时能够减少凹陷的产生的CMP浆料，并涉及一种抛光方法，所述CMP浆料包含一种抛光磨料、一种线型阴离子聚合物、一种包含磷酸基的化合物和水，且CMP对氧化硅层的抛光速度∶CMP对氮化硅层的抛光速度的比率为30∶1至50∶1。
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公开(公告)号：CN104619433B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380047642.0
申请日：2013-09-11
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种含氧化铈废磨料的再生方法，可有效地去除含氧化铈废磨料中所包含的杂质，并再生为显示出适宜的粒度分布和结晶尺寸、以及由此带来的较佳抛光率等的含氧化铈再生磨料。所述含氧化铈废磨料的再生方法，包括以下步骤：将含氧化铈(CeO2)废浆料溶解于包含强碱和氢氟酸的溶剂溶液；对所述含氧化铈废浆料进行清洗，以去除含氧化硅(SiO2)杂质；对所述清洗过的含氧化铈废浆料用CD干燥机进行干燥；以及在包含铵盐、碱金属盐、金属氧化物、金属含氧酸或碱土金属盐的助熔剂存在下，对所述废浆料以800℃以上的温度进行烧结。
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公开(公告)号：CN104619806A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047601.1
申请日：2013-09-17
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种含氧化铈废磨料的再生方法，可有效地去除含氧化铈废磨料中所包含的杂质，而且能够确保再生工艺的稳定性，使含氧化铈废磨料适当地再生。所述含氧化铈废磨料的再生方法包括以下步骤：将含氧化铈(CeO2)废浆料溶解于溶剂溶液，所述溶剂溶液包含(a)NaHF2、(NH4)HF2或KHF2等氟类化合物或者包含(b)NaF、(NH4)F或KF等氟化盐和非氢氟酸类酸的混合物；对所述含氧化铈废浆料进行清洗，以去除溶解在溶剂溶液中的含氧化硅(SiO2)杂质；以及对所述清洗过的含氧化铈废浆料进行再分散及过滤或者干燥及烧结。
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公开(公告)号：CN104619462A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047554.0
申请日：2013-09-11
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种含氧化铈废磨料的再生方法，可有效地去除含氧化铈废磨料中所包含的杂质，实现包括清洗工艺在内的再生工艺的效率化，而且能够抑制清洗工艺中含氧化铈磨料的再凝聚。所述含氧化铈废磨料的再生方法，包括以下步骤：将含氧化铈废浆料与包含氟类化合物的溶剂溶液进行混合，以便有选择地溶解掉包含在所述废浆料中的含氧化硅杂质；使所述含氧化铈废浆料通过交叉流过滤系统进行清洗，以便有选择地去除所述含氧化硅杂质；以及对所述清洗过的含氧化铈废浆料进行干燥及烧结。
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公开(公告)号：CN119054106A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380037445.4
申请日：2023-05-22
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种单粒子形式的正极活性材料及其制备方法，所述单粒子形式的正极活性材料包含：单粒子形式的锂过渡金属氧化物；形成在单粒子形式的锂过渡金属氧化物上的含钴涂覆部；以及不连续地形成在表面上的岛形式的LiCoO2，其中在表面的拉曼光谱中对应于LiCoO2的A1g振动模式的峰(550 cm‑1至620 cm‑1)的强度与对应于LiNiO2的A1g振动模式的峰(500 cm‑1至600 cm‑1)的强度之比大于1。
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公开(公告)号：CN118511317A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016217.9
申请日：2023-05-22
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种正极活性材料和制造正极活性材料的方法，所述正极活性材料包含：单粒子形式的锂过渡金属氧化物；以及形成在单粒子形式的锂过渡金属氧化物的表面上并且含有钴的涂覆部，其中，单粒子形式的锂过渡金属氧化物包含分为在晶体粒子中层状结构坍塌的强边界和层状结构未坍塌的弱边界的界面，并且涂覆部仅形成在界面中的强边界处。
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公开(公告)号：CN101959983B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980107520.X
申请日：2009-03-03
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/302 , C09G1/02
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/76229
Abstract: 本发明涉及一种当用于例如对氧化硅层进行抛光或使其平坦化时能够减少凹陷的产生的CMP浆料，并涉及一种抛光方法，所述CMP浆料包含一种抛光磨料、一种线型阴离子聚合物、一种包含磷酸基的化合物和水，且CMP对氧化硅层的抛光速度∶CMP对氮化硅层的抛光速度的比率为30∶1至50∶1。
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