公开(公告)号：CN104160486B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280070725.7

申请日：2012-12-25

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 田口雄太 ,  齐藤康太

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/16

CPC classification number: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  C23F1/16 ,  H01L21/32134 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的在于提供下述蚀刻液组合物和蚀刻方法，其在对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻时，在氧化铟系膜和金属系膜之间不会产生大的台阶，包含氧化铟系膜和金属系膜的细线的宽度较小，此外，可以直线性良好地进行蚀刻。本发明蚀刻液组合物的特征在于包含：高铁离子成分、氯化氢成分、以及选自下述通式(1)表示的化合物和碳数1～4的直链或支链状醇中的至少1种以上的化合物成分(式(1)中，R1、R3各自独立地表示氢或碳数1～4的直链或支链状烷基，R2表示碳数1～4的直链或支链状亚烷基，n表示1～3的数)。

公开(公告)号：CN101981665B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980110506.5

申请日：2009-02-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 沖本圭生 ,  田口雄太

IPC: C01B33/149 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C01B33/149 ,  C09C1/3072 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及经下述通式(1)、(2)及(3)表示的至少1种基团进行过表面改性的表面改性胶体二氧化硅以及含有该表面改性胶体二氧化硅的CMP用研磨组合物。根据上述本发明，可以提供一种CMP用研磨组合物，其在CMP研磨的第1阶段研磨过程中，能够抑制凹曲的恶化、且无研磨残留，在第2阶段研磨过程中能够使尖牙得以改善。

公开(公告)号：CN104160486A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280070725.7

申请日：2012-12-25

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 田口雄太 ,  齐藤康太

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/16

CPC classification number: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  C23F1/16 ,  H01L21/32134 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的在于提供下述蚀刻液组合物和蚀刻方法，其在对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻时，在氧化铟系膜和金属系膜之间不会产生大的台阶，包含氧化铟系膜和金属系膜的细线的宽度较小，此外，可以直线性良好地进行蚀刻。本发明蚀刻液组合物的特征在于包含：高铁离子成分、氯化氢成分、以及选自下述通式(1)表示的化合物和碳数1～4的直链或支链状醇中的至少1种以上的化合物成分(式(1)中，R1、R3各自独立地表示氢或碳数1～4的直链或支链状烷基，R2表示碳数1～4的直链或支链状亚烷基，n表示1～3的数)。

公开(公告)号：CN101981665A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980110506.5

申请日：2009-02-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 沖本圭生 ,  田口雄太

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C01B33/149 ,  C09K3/14

CPC classification number: C01B33/149 ,  C09C1/3072 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及经下述通式(1)、(2)及(3)表示的至少1种基团进行过表面改性的表面改性胶体二氧化硅以及含有该表面改性胶体二氧化硅的CMP用研磨组合物。根据上述本发明，可以提供一种CMP用研磨组合物，其在CMP研磨的第1阶段研磨过程中，能够抑制凹曲的恶化、且无研磨残留，在第2阶段研磨过程中能够使尖牙得以改善。