透明导电性薄膜及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109155166A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780029395.X

    申请日:2017-02-08

    Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜(10),其在树脂薄膜(1)的一个表面上依次配置有电介质层(2)及铟锡复合氧化物层(3),树脂薄膜(1)为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种,电介质层(2)由有机物或有机物与无机物的混合物构成、并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下,在铟锡复合氧化物层(3)的配置有电介质层(2)的一侧的相反侧的表面,存在2.1原子%以上且4.0原子%以下的、可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。本发明的透明导电性薄膜(10)可以通过在树脂薄膜(1)的一个表面上层叠电介质层(2),在电介质层(2)的配置有树脂薄膜(1)的一侧的相反侧的表面上层叠铟锡复合氧化物层(3)来制作。

    氮化硼粉末的连续制造方法

    公开(公告)号:CN104024153A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201280053543.9

    申请日:2012-10-24

    Abstract: 本发明提供一种以更高的效率和低成本连续地且以减少炉污染的方式制造粒径大且结晶性高的结晶性六方晶氮化硼粉末的方法。本发明涉及一种结晶性六方晶氮化硼粉末的连续制造方法,其特征在于,用第一工序对含硼物质和含氮物质进行加热处理,从而得到BN含有率为80重量%以上的粗制氮化硼,然后用第二工序将该粗制氮化硼与满足下述式(1)的量的含硼熔剂成分一起投入到耐热容器中,用连续反应炉在氮气气氛下以1550℃~2400℃进行再加热处理,从而使晶体生长。式(1):含硼熔剂成分中所含的硼量/粗制氮化硼量≤1.4重量%。

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