公开(公告)号：CN102272349A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004145.9

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 白鸟翼 ,  渡边刚 ,  榎本圭司

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28194 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的残存水分子除去工艺是应用于在基板上形成含金属薄膜的含金属薄膜的制造方法中的除去残存水分子的工艺，其通过使用使清洗溶剂气化而得到的气体来除去残存的水分子。作为所述清洗溶剂，优选由共沸组成中的水含量为20质量％以上的有机溶剂或有机溶剂组合物组成。根据本发明的残存水分子除去工艺，由于在通过ALD法等制造含金属薄膜时能够有效地除去体系内的残存水分子，所以能够缩短成膜时间，从而有效地造含金属薄膜。