半导体集成电路装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116830257A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202280014374.1

    申请日:2022-01-24

    发明人: 小室秀幸

    IPC分类号: H01L21/82

    摘要: 半导体集成电路装置包括具有鳍式FET的多个单元。构成鳍式FET的多个鳍(21A、21B、22A、22B)沿X方向延伸,并且布置于在Y方向上等间距分布的假想网格线(GL)上。单元包括埋入式电源布线(11A、11B、12A、12B)。Y方向上的尺寸较大的单元包括宽度较大的埋入式电源布线(11B、12B)。埋入式电源布线(11A、11B、12A、12B)在Y方向上的中央位置位于假想网格线(GL)上,或者,位于相邻的假想网格线之间的中央位置上。

    半导体集成电路装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114503256B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202080070169.8

    申请日:2020-10-08

    IPC分类号: H01L23/528 H01L23/538

    摘要: 在向标准单元供给电源的电源布线结构中,确保铺设信号布线的区域,实现半导体集成电路装置的高集成化、小面积化。沿X方向延伸的埋入式电源布线(3)在Y方向上以规定间距布置。沿Y方向延伸的局部电源布线(5)与埋入式电源布线(3)相连接。在上层的金属布线层上形成有沿X方向延伸的金属电源布线(7),金属电源布线(7)与局部电源布线(5)相连接。金属电源布线(7)在Y方向上的布置间距大于埋入式电源布线(3)的布置间距。

    半导体集成电路装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114503256A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202080070169.8

    申请日:2020-10-08

    IPC分类号: H01L23/528

    摘要: 在向标准单元供给电源的电源布线结构中,确保铺设信号布线的区域,实现半导体集成电路装置的高集成化、小面积化。沿X方向延伸的埋入式电源布线(3)在Y方向上以规定间距布置。沿Y方向延伸的局部电源布线(5)与埋入式电源布线(3)相连接。在上层的金属布线层上形成有沿X方向延伸的金属电源布线(7),金属电源布线(7)与局部电源布线(5)相连接。金属电源布线(7)在Y方向上的布置间距大于埋入式电源布线(3)的布置间距。