半导体装置及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117637842A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311055811.7

    申请日:2023-08-22

    Inventor: 立花文人

    Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备:半导体衬底;沟槽,设置在半导体衬底的上表面;栅极绝缘膜,将沟槽的内表面覆盖;栅极电极,设置在沟槽的内部,被栅极绝缘膜从半导体衬底绝缘;层间绝缘膜,设置在沟槽的内部,将栅极电极的上表面覆盖;以及金属膜。半导体衬底具备比半导体衬底的上表面靠下侧并且将半导体衬底的上表面与沟槽的侧面连接的连接面。栅极绝缘膜的上表面比连接面靠下侧;层间绝缘膜的上表面比栅极绝缘膜的上表面靠下侧;金属膜将半导体衬底的上表面、连接面、栅极绝缘膜的上表面及层间绝缘膜的上表面覆盖。

    半导体装置的制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116646243A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310147709.3

    申请日:2023-02-22

    Abstract: 在一种半导体装置的制造方法中,制备其中形成多个半导体元件(3)并且具有彼此相反的第一表面(2a)和第二表面(2b)的晶圆(2),以及沿着所述多个半导体元件中相邻半导体元件之间的边界(4)在所述晶圆的所述第一表面上形成凹槽(11)。以所述晶圆的所述第一表面面向支撑板(31)的方式将所述晶圆附接到所述支撑板,以及沿着所述边界将刻划刀片(33)压靠所述晶圆的所述第二表面以沿着所述边界在所述晶圆内部形成竖直裂纹(5)。然后,沿着所述边界将分断刀片(34)压靠所述晶圆以沿着所述边界劈开所述晶圆。

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