公开(公告)号：CN102468153B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110333940.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 多屋淳志 ,  金森胜彦 ,  都外川真志

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0133 ,  C30B29/06 ,  C30B33/04 ,  C30B33/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30608

Abstract: 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。

公开(公告)号：CN102468153A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110333940.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 多屋淳志 ,  金森胜彦 ,  都外川真志

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0133 ,  C30B29/06 ,  C30B33/04 ,  C30B33/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30608

Abstract: 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。