公开(公告)号：CN116964460A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280018192.1

申请日：2022-02-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村松润哉 ,  冈地涼辅 ,  朽木克博 ,  富永孝 ,  出口昌孝

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/52

Abstract: 一种状态判断装置，具有初始波形存储部(10)、波形获取部(11)、元件温度获取部(12)、过去波形存储部(13)、故障状态判断部(14)。故障状态判断部(14)基于初始的栅极电压的时间波形、当前的栅极电压的时间波形、元件温度、过去的栅极电压的时间波形，对时间波形进行分类并判断I GBT(100)的故障状态。

公开(公告)号：CN117501452A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280043315.7

申请日：2022-05-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 出口昌孝 ,  村松润哉 ,  片冈惠太 ,  朽木克博 ,  青柳勲 ,  富永孝 ,  冈地凉辅 ,  香山贵志

IPC: H01L29/78

Abstract: 构成沟槽栅极结构的半导体元件(15)的多个主单元(14)包括多个第一单元(141)和第二单元(142)，上述第二单元为了预测第一单元的故障而具有比第一单元更容易通过通电使栅极绝缘膜破坏的结构，并且数量比第一单元少。此外，在半导体元件的驱动时，对第一单元的栅极和第二单元的栅极施加共通的栅极驱动电压。测量电气特性并检测由驱动时的通电引起的第二单元的故障。为了不向故障的第二单元施加栅极驱动电压，将故障的第二单元的栅极与第一单元的栅极电分离。基于第二单元的故障来预测第一单元的故障。