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发明公开
半导体装置的故障预测方法和半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN117501452A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280043315.7

申请日：2022-05-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 出口昌孝 , 村松润哉 , 片冈惠太 , 朽木克博 , 青柳勲 , 富永孝 , 冈地凉辅 , 香山贵志

IPC: H01L29/78

Abstract: 构成沟槽栅极结构的半导体元件(15)的多个主单元(14)包括多个第一单元(141)和第二单元(142)，上述第二单元为了预测第一单元的故障而具有比第一单元更容易通过通电使栅极绝缘膜破坏的结构，并且数量比第一单元少。此外，在半导体元件的驱动时，对第一单元的栅极和第二单元的栅极施加共通的栅极驱动电压。测量电气特性并检测由驱动时的通电引起的第二单元的故障。为了不向故障的第二单元施加栅极驱动电压，将故障的第二单元的栅极与第一单元的栅极电分离。基于第二单元的故障来预测第一单元的故障。

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