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公开(公告)号：CN1518095A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310101508.2
申请日：2003-10-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/8234 , H01L27/085 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明通过按每个半导体元件得到所期望的通态电阻与耐压，实现能够获得作为集成半导体装置整体的适当特性的集成半导体装置。一种设有多个在半导体层内形成的、包括n型半导体的源极(6)、n型半导体的漏极(3)以及介于源极和漏极之间的p型半导体的背面栅极(5)的半导体元件(50a、50b、50c)的集成半导体装置(50)，其中，一个半导体元件中的一个漏极的至少预定部分上的杂质浓度与别的半导体元件中的其它漏极的预定部分的杂质浓度不同。
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