公开(公告)号：CN1139678C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN98105477.3

申请日：1998-03-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 关岛雄德 ,  藤井高志 ,  胁野喜久男 ,  冈田正胜

IPC: C30B13/00

CPC classification number: C30B29/225 ,  C30B13/00 ,  C30B13/22 ,  C30B29/28 ,  C30B29/60

Abstract: 本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤：将多晶和单晶固定在加热炉中；使多晶与晶种接合；在与晶种接合的相反一端加热多晶，形成熔融区；将熔融区移动到与晶种接合的一端，使熔融区与晶种接触，让其接种；通过将与晶种接触并已接种的熔融区从多晶与晶种接合的一端移动到另一端来生长单晶。

公开(公告)号：CN1150657C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN97113615.7

申请日：1997-06-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 下方斡生 ,  藤野优 ,  藤井高志 ,  鹰木洋

IPC: H01P1/215

CPC classification number: B82Y25/00 ,  H01F10/245 ,  H01F10/3209 ,  H01F41/28 ,  H03H2/001 ,  Y10S428/90

Abstract: 本发明提供一种静磁波器件，它即使用厚度较小的磁性石榴石薄膜R，A：YIG制造也可以正常工作并且具有较宽的频带。La，Bi，Gd和Lu是化学式(Y1-rRr)3(Fe1-aAa)5O12表示的静磁波器件材料中替换R的合适元素而Al，Ga，In和Sc是替换A的合适元素，r和a的范围分别为0≤r≤1和0≤a≤1；并且r和a不能同时为零。而且所述磁性石榴石薄膜的晶体结构为超晶格。

公开(公告)号：CN1058760C

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：CN97104879.7

申请日：1997-03-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 藤井高志 ,  関岛雄德 ,  劦野喜久男 ,  岡田正勝

IPC: C30B13/22 ,  C30B29/28

CPC classification number: C30B13/24 ,  C30B13/00 ,  C30B29/28

Abstract: 本发明提供一种尺寸足供隔离器的光通信和电子器件之材料应用的含铈磁性石榴石单晶及其制造方法，后者包括：熔化含铈磁性石榴石多晶，同时，施加陡而大的温度梯度于熔体的固液界面，随后固化所熔化的多晶。最好联系采用例如，由激光束组成的主加热装置和由来自卤素灯反射光组成的辅加热装置来加热多晶。

公开(公告)号：CN1197853A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98105477.3

申请日：1998-03-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 关岛雄德 ,  藤井高志 ,  胁野喜久男 ,  冈田正胜

IPC: C30B13/00

CPC classification number: C30B29/225 ,  C30B13/00 ,  C30B13/22 ,  C30B29/28 ,  C30B29/60

Abstract: 本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤:将多晶和单晶固定在加热炉中;使多晶与晶种接合;在与晶种接合的相反一端加热多晶,形成熔融区;将熔融区移动到与晶种接合的一端,使熔融区与晶种接触,让其接种;通过将与晶种接触并已接种的熔融区从多晶与晶种接合的一端移动到另一端来生长单晶。

公开(公告)号：CN1171639A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97113615.7

申请日：1997-06-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 下方斡生 ,  藤野优 ,  藤井高志 ,  鹰木洋

IPC: H01P1/215

CPC classification number: B82Y25/00 ,  H01F10/245 ,  H01F10/3209 ,  H01F41/28 ,  H03H2/001 ,  Y10S428/90

Abstract: 本发明提供一种静磁波器件,它即使用厚度较小的磁性石榴石薄膜R,A:YIG制造也可以正常工作并且具有较宽的频带。La,Bi,Gd和Lu是化学式(Y1－rRr)3(Fe1－aAa)5O12表示的静磁波器件材料中替换R的合适元素而Al,Ga,In和Sc是替换A的合适元素,r和a的范围分别为0≤r≤1和0≤a≤1;并且r和a不能同时为零。而且所述磁性石榴石薄膜的晶体结构为超晶格。

公开(公告)号：CN1167842A

公开(公告)日：1997-12-17

申请号：CN97104879.7

申请日：1997-03-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 藤井高志 ,  关岛雄德 ,  脇野喜久男 ,  岡田正胜

IPC: C30B13/22 ,  C30B29/28

CPC classification number: C30B13/24 ,  C30B13/00 ,  C30B29/28

Abstract: 本发明提供一种尺寸足供隔离器的光通信和电子器件之材料应用的含铈磁性石榴石单晶及其制造方法，后者包括：熔化含铈磁性石榴石多晶，同时，施加陡而大的温度梯度于熔体的固液界面，随后固化所熔化的多晶。最好联系采用例如，由激光束组成的主加热装置和由来自卤素灯反射光组成的辅加热装置来加热多晶。