公开(公告)号：CN1139678C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN98105477.3

申请日：1998-03-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 关岛雄德 ,  藤井高志 ,  胁野喜久男 ,  冈田正胜

IPC: C30B13/00

CPC classification number: C30B29/225 ,  C30B13/00 ,  C30B13/22 ,  C30B29/28 ,  C30B29/60

Abstract: 本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤：将多晶和单晶固定在加热炉中；使多晶与晶种接合；在与晶种接合的相反一端加热多晶，形成熔融区；将熔融区移动到与晶种接合的一端，使熔融区与晶种接触，让其接种；通过将与晶种接触并已接种的熔融区从多晶与晶种接合的一端移动到另一端来生长单晶。

公开(公告)号：CN1197853A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98105477.3

申请日：1998-03-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 关岛雄德 ,  藤井高志 ,  胁野喜久男 ,  冈田正胜

IPC: C30B13/00

CPC classification number: C30B29/225 ,  C30B13/00 ,  C30B13/22 ,  C30B29/28 ,  C30B29/60

Abstract: 本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤:将多晶和单晶固定在加热炉中;使多晶与晶种接合;在与晶种接合的相反一端加热多晶,形成熔融区;将熔融区移动到与晶种接合的一端,使熔融区与晶种接触,让其接种;通过将与晶种接触并已接种的熔融区从多晶与晶种接合的一端移动到另一端来生长单晶。