单晶生长方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1139678C

    公开(公告)日:2004-02-25

    申请号:CN98105477.3

    申请日:1998-03-12

    CPC classification number: C30B29/225 C30B13/00 C30B13/22 C30B29/28 C30B29/60

    Abstract: 本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤:将多晶和单晶固定在加热炉中;使多晶与晶种接合;在与晶种接合的相反一端加热多晶,形成熔融区;将熔融区移动到与晶种接合的一端,使熔融区与晶种接触,让其接种;通过将与晶种接触并已接种的熔融区从多晶与晶种接合的一端移动到另一端来生长单晶。

    单晶生长方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1197853A

    公开(公告)日:1998-11-04

    申请号:CN98105477.3

    申请日:1998-03-12

    CPC classification number: C30B29/225 C30B13/00 C30B13/22 C30B29/28 C30B29/60

    Abstract: 本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤:将多晶和单晶固定在加热炉中;使多晶与晶种接合;在与晶种接合的相反一端加热多晶,形成熔融区;将熔融区移动到与晶种接合的一端,使熔融区与晶种接触,让其接种;通过将与晶种接触并已接种的熔融区从多晶与晶种接合的一端移动到另一端来生长单晶。

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