层叠陶瓷电容器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103314421B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201280005016.0

    申请日:2012-01-11

    Inventor: 矢尾刚之

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/12 H01G4/1227

    Abstract: 本发明提供一种即使使陶瓷层进一步薄层化,也能够抑制介电常数的降低的层叠陶瓷电容器。本发明的层叠陶瓷电容器(1),其具备层叠体(5)和多个外部电极(6)和(7),所述层叠体(5)具有层叠的多个陶瓷层(2)、和沿着陶瓷层间(2)的界面形成的多个内部电极(3)和(4),所述外部电极(6)和(7)形成在层叠体(5)的外表面、并与内部电极(3)和(4)电连接,其特征在于,在陶瓷层(2)中存在与隔着陶瓷层(2)而相邻的内部电极(3)和(4)双方相接的陶瓷粒子,并且,内部电极(3)和(4)的厚度为0.60μm以下。

    复合氧化物粉末的制造方法

    公开(公告)号:CN102452835A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201110325409.7

    申请日:2011-10-24

    Abstract: 能够有效地制造Mn均匀地固溶、正方晶性高、并且结晶性优良的钙钛矿型复合氧化物。另外,提供使用所得到的钙钛矿型复合氧化物作为电介质陶瓷层、特性良好的层叠陶瓷电子部件。在制造由ABO3(A为Ba和/或Ca,B至少包括Ti)表示的钙钛矿型复合氧化物时,在至少包含氧化钛粉末、和以相对于来源于氧化钛粉末的Ti元素100摩尔Mn元素达到0.05~0.30摩尔的比例的锰成分的原料液中至少加入氢氧化钡,并使其反应。另外,对通过上述反应生成的反应生成物进行热处理。另外,使用水溶性的锰化合物作为锰成分。另外,作为电介质陶瓷层,使用上述方法制造的钙钛矿型复合氧化物。

    积层陶瓷电容器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101645352B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN200910161117.7

    申请日:2009-08-04

    Inventor: 矢尾刚之

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 在积层陶瓷电容器中,即使介电陶瓷层的厚度薄至低于1μm,仍可以维持高绝缘性和寿命特性。设介电陶瓷层(2)的厚度为t,设构成介电陶瓷层(2)的介电陶瓷的晶粒的平均粒径为r时,由N=t/r-1定义的平均晶界个数N为0<N≤2,并且,使介电陶瓷的组成为:以ABO3(A是Ba,或者是Ba以及选自Sr和Ca中的至少一种。B是Ti,或者是Ti以及选自Zr和Hf中的至少一种)所代表的钙钛矿型化合物作为主要成分,并且以Mn和V作为副成分,相对于所述主成分100摩尔份,分别含有Mn为0.05~0.75摩尔份,V为0.05~0.75摩尔份,Mn和V的合计为0.10~0.80摩尔份。

    积层陶瓷电容器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101645352A

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:CN200910161117.7

    申请日:2009-08-04

    Inventor: 矢尾刚之

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 在积层陶瓷电容器中,即使介电陶瓷层的厚度薄至低于1μm,仍可以维持高绝缘性和寿命特性。设介电陶瓷层(2)的厚度为t,设构成介电陶瓷层(2)的介电陶瓷的晶粒的平均粒径为r时,由N=t/r-1定义的平均晶界个数N为0<N≤2,并且,使介电陶瓷的组成为:以ABO 3 (A是Ba,或者是Ba以及选自Sr和Ca中的至少一种。B是Ti,或者是Ti以及选自Zr和Hf中的至少一种)所代表的钙钛矿型化合物作为主要成分,并且以Mn和V作为副成分,相对于所述主成分100摩尔份,分别含有Mn为0.05~0.75摩尔份,V为0.05~0.75摩尔份,Mn和V的合计为0.10~0.80摩尔份。

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