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公开(公告)号：CN107004493A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066177.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/248 , H01F17/0013 , H01F27/02 , H01F27/2823 , H01F27/29 , H01F27/36 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/252 , H01G4/30 , H01G4/40 , H03H1/00 , H03H2001/0057
Abstract: 在电子设备中，随着小型化，安装基板与其上部基板、屏蔽壳体等的距离、与相邻地安装的其它电子部件的距离减小。在将以往的电子部件安装于这样的电子设备的安装基板的情况下，上部基板、屏蔽壳体与形成于电子部件的上表面的端子接触，而在与上部基板、屏蔽壳体之间发生短路，且相邻的电子部件的端子彼此接触，而在电子部件间发生短路。另外，焊锡经由端子与绝缘膜的缝隙以及锡或者锡合金的镀层进入内部，破坏绝缘膜，而使绝缘性恶化。具备在内部内置电路元件的基体和形成于基体的端子。端子以遍及基体的端面和与端面相邻的面的方式形成。在基体形成有覆盖端子的绝缘膜。而且，在基体的至少安装面上端子从绝缘膜露出，并在端子的从绝缘膜露出的部分形成含有锡的镀膜。
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公开(公告)号：CN107210129B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201680007331.5
申请日：2016-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在电子部件的制造方法中，具备：在构成电子部件的芯片基体上形成的外部电极主体上形成绝缘层以使外部电极主体被覆盖的工序；以及对绝缘层的规定的区域照射绝缘层的吸收系数比构成外部电极主体的表面的材料大的激光，来除去位于规定的区域的绝缘层，使外部电极主体的规定的区域露出的工序。
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公开(公告)号：CN107004493B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201580066177.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在电子设备中，随着小型化，安装基板与其上部基板、屏蔽壳体等的距离与相邻地安装的其它电子部件的距离减小。在将以往的电子部件安装于这样的电子设备的安装基板的情况下，上部基板、屏蔽壳体与形成于电子部件的上表面的端子接触而在与上部基板、屏蔽壳体之间发生短路且相邻的电子部件的端子彼此接触，在电子部件间发生短路。另外，焊锡经由端子与绝缘膜的缝隙以及锡或者锡合金的镀层进入内部，破坏绝缘膜而使绝缘性恶化。本发明具备在内部内置电路元件的素体和形成于素体的端子。端子以遍及素体的端面和与端面相邻的面的方式形成。在素体形成有覆盖端子的绝缘膜。而且，在素体的至少安装面上端子从绝缘膜露出并在端子的从绝缘膜露出的部分形成含有锡的镀膜。
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公开(公告)号：CN107210129A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007331.5
申请日：2016-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在电子部件的制造方法中，具备：在构成电子部件的芯片基体上形成的外部电极主体上形成绝缘层以使外部电极主体被覆盖的工序；以及对绝缘层的规定的区域照射绝缘层的吸收系数比构成外部电极主体的表面的材料大的激光，来除去位于规定的区域的绝缘层，使外部电极主体的规定的区域露出的工序。
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