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公开(公告)号：CN112825473B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202011281812.X
申请日：2020-11-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 实现低失真并且电路的规模不变得过大就能够确保充分的增益的功率放大电路。功率放大电路(1)包括：输入级功率放大器(11)，被输入高频输入信号；输出级功率放大器(12)，输出放大后的高频输出信号；和中间级功率放大器(1M)，设置在输入级功率放大器(11)与输出级功率放大器(12)之间。中间级功率放大器(1M)具有：第1晶体管(Q1M)；第2晶体管(Q2M)；和电容器(C30)，一端与第1晶体管(Q1M)的发射极连接，并且另一端与第2晶体管(Q2M)的集电极连接，在第2晶体管(Q2M)的基极输入信号，并从第1晶体管(Q1M)的集电极输出被放大的信号。
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公开(公告)号：CN118868825A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410840805.0
申请日：2021-04-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 柳原真悟
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供一种多指晶体管以及功率放大电路，使多个单位晶体管均等地进行动作。包含：多个单位晶体管，具备与基准电位电连接的第1端子、被输入高频信号以及偏置电流的第2端子和输出对高频信号进行了放大的放大信号的第3端子；公共输入端子，将多个单位晶体管的第2端子电并联连接，被输入高频信号；公共偏置端子，将多个单位晶体管的第2端子电并联连接，被输入偏置电流；公共输出端子，将多个单位晶体管的第3端子电并联连接，输出放大信号；和多个第1电阻元件，分别电连接在多个单位晶体管的第2端子与公共输入端子之间，将偏置电流的直流分量截止。
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公开(公告)号：CN118740077A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410361427.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够改善信号的质量的功率放大电路。本发明具备失真补偿放大电路和输出放大电路，失真补偿放大电路包含：第1放大器，以第1增益对从输入信号分配的第1信号进行放大；以及第2放大器，与第1放大器并联连接，并且以第2增益对从输入信号分配且相位与第1信号不同的第2信号进行放大，失真补偿放大电路输出对从第1放大器输出的信号和从第2放大器输出的信号进行了合成的放大信号，输出放大电路输出对放大信号进行了放大的输出信号，失真补偿放大电路还包含：控制电路，基于输入信号的功率，对第1增益和第2增益进行控制，使得对相对于输入到输出放大电路的信号的功率的变化的、输出放大电路的相位的变化进行补偿。
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公开(公告)号：CN112117256B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010539872.0
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 柳原真悟
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。在基板设置有至少一个晶体管。该晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管。在基板设置有与发射极或源极连接的至少一个第1凸块。还设置有与集电极或漏极连接的至少3个第2凸块。在俯视下，在以第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧配置有至少一个第1凸块的几何中心。
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公开(公告)号：CN117478081A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310920441.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 柳原真悟
Abstract: 提供一种功率放大器，在高频输入信号变大的情况下，抑制受到损坏。功率放大器包括：放大电路，其将高频输入信号放大；偏置电路，其向放大电路输出偏置电流；以及偏置抑制电路，其基于高频输入信号，抑制偏置电流。偏置电路包括：第一晶体管，该第一晶体管的集电极及基极与被输入电流的第一节点电连接，该第一晶体管的发射极与第二节点电连接；第二晶体管，该第二晶体管的集电极及基极与第二晶体管电连接；以及第三晶体管，该第三晶体管的基极与第一节点电连接，从该第三晶体管的发射极输出偏置电流。偏置抑制电路基于高频输入信号，从偏置电路的第二节点引出电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113572438A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110386161.9
申请日：2021-04-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 柳原真悟
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种多指晶体管以及功率放大电路，使多个单位晶体管均等地进行动作。包含：多个单位晶体管，具备与基准电位电连接的第1端子、被输入高频信号以及偏置电流的第2端子和输出对高频信号进行了放大的放大信号的第3端子；公共输入端子，将多个单位晶体管的第2端子电并联连接，被输入高频信号；公共偏置端子，将多个单位晶体管的第2端子电并联连接，被输入偏置电流；公共输出端子，将多个单位晶体管的第3端子电并联连接，输出放大信号；和多个第1电阻元件，分别电连接在多个单位晶体管的第2端子与公共输入端子之间，将偏置电流的直流分量截止。
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公开(公告)号：CN112216676B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010654125.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/522 , H10N97/00 , H03F1/32
Abstract: 本发明提供一种对于频率变动不易产生阻抗匹配状态的偏离的半导体装置。在基板设置有接地用焊盘。在基板的表面上的第1方向上并列地配置有发射极接地的多个晶体管。在基板设置有连接多个晶体管的基极的输入布线。至少两个并联电感器的一端与输入布线连接，另一端与接地用焊盘连接。关于第1方向，两个并联电感器以配置了多个晶体管的区域的中心为基准，配置在相互相反侧。
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公开(公告)号：CN112117256A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010539872.0
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 柳原真悟
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。在基板设置有至少一个晶体管。该晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管。在基板设置有与发射极或源极连接的至少一个第1凸块。还设置有与集电极或漏极连接的至少3个第2凸块。在俯视下，在以第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧配置有至少一个第1凸块的几何中心。
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公开(公告)号：CN105493341A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480048253.4
申请日：2014-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P1/36
CPC classification number: H03H7/52 , H01P1/36 , H04B1/04 , H04B1/3827
Abstract: 本发明涉及隔离器。隔离器(10)具备磁芯隔离器(1)、主基板(3)以及电路形成部(2)。主基板(3)具备布线部(3A)、布线部(3B)以及布线部(3D)，搭载磁芯隔离器(1)和电路形成部(2)。磁芯隔离器(1)的输入端口(P11)与布线部(3A)连接。磁芯隔离器(1)的输出端口(P12)与布线部(3B)连接。磁芯隔离器(1)的地线端口(P13)与布线部(3D)连接。电路形成部(2)构成包含经由布线部(3A)和布线部(3B)与磁芯隔离器(1)以并联的方式连接的电容器(C1)、以及与布线部(3A)和布线部(3B)的至少一方连接的阻抗元件的导体图案。
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